MIMO OTA 在手机产品研发中的意义及其未来演进

作为高速无线通信的重要技术，MIMO（多输入多输出）已经被LTE、LTE-A及WiFi 802.11ac等标准规范所采纳，且将毫无悬念地继续应用于未来的5G高速无线通信系统当中。近年来配置了多根天线的WiFi路由器在家用市场上出现，则是一般消费者对于MIMO最直观的认识——实际上在各类4G手机内部早已布置有多根（2根接收）天线，也就是说，4G用户其实每天都在使用MIMO技术。

2022-05-11
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纺织企业全流程智能纺纱工厂的建设管理

公司2018年建设的全流程智能纺纱工厂，由裕大华集团公司牵头、经纬纺织机械股份有限公司（以下简称经纬纺机）、国机智能技术研究院有限公司（以下简称国机智能）、武汉纺织大学共同参与建设的项目。项目纳入国家工信部 2018年“全流程智能纺纱新模式应用”，项目任务书执行期为2018年1月至2020年12月。2018年12月完成所有主机设备安装，开始试生产。2019年3月开始运行，主要生产高端精梳紧密纺纱线40-120支。2019年6月，项目经中纺联组织专家现场鉴定：该项目技术成熟，生产稳定，总体技术达到国际先进水平。“国产化装备智能纺纱关键技术创新及产业化应用”项目获2019年度中纺联科技进步奖二等奖。公司先后被评为中纺联“全行业智能制造试点示范企业”和“武汉市工业智能化改造提升试点示范企业”等荣誉称号。

2022-05-06
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成都工业领域落实能耗双控制度的思考

2021年9月，国家发展改革委发布《完善能源消费强度和总量双控制度方案》，为能源清洁低碳安全高效利用作出制度安排。四川省委十一届十次全会提出“以实现碳达峰碳中和目标为引领、推动绿色低碳优势产业高质量发展”，从做“加法”的角度明确了培育发展新动能的基本思路。从做“减法”的角度看，能耗双控制度是实现“双碳”目标的重要抓手，有利于协同推进节能减排、减污降碳，倒逼产业结构、能源结构调整。工业是产生碳排放的主要领域之一，应当加强产业布局、结构调整与能耗双控的衔接，加快工业绿色低碳转型和高质量发展。

2022-05-06
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高效线性氮化镓射频功放芯片模组研究

设计了一款基于相位失配的高线性度Doherty功率放大器（DPA），通过调节输出和输入相位失配网络，改善DPA的幅度-相位（AM-PM）特性并兼顾回退和饱和性能，并基于0.25 μm GaN HEMT工艺，设计了一款全集成DPA来验证上述方法。实测结果显示，在6.3 GHz处， AM-PM＜2°，AM-AM＜0.3 dB，饱和功率为41.1 dBm，6 dB回退漏极效率为45%，使用峰均比（PAPR）为7.8 dB的100 MHz调制信号，在33 dBm处，邻信道功率泄漏比（ACPR）＜-43.6 dBc。

2022-05-06
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氮化镓（GaN）：5G时代提高射频前端和无线充电效率的新元素

5G的到来将会给半导体材料带来革命性的变化，无论是硅衬底还是碳化硅衬底，氮化镓（GaN）都将获得快速发展。从2G到5G，通信频率在不断地向高频发展，因此基站及通信设备对射频器件高频性能的要求也在不断提高。在此背景下，氮化镓（GaN）必将以其独特的高频特性、超高的功率密度，以及优越的集成度成为5G技术的核心器件。

2022-05-06
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一种适用于FDD+TDD基站天线阵列的多天线共存方式

提出了一种适用于FDD+TDD基站阵列天线的新型拓扑结构，采用这种拓扑结构，结合同轴天线、阵列径向与轴向错位等技术，可在驻波、增益等指标均达标的前提下，将多列2G/3G/4G/5G基站天线拓扑在一块较小的功分板上，可大幅缩小FDD+TDD阵列天线的整体尺寸。经系列实测，使用该阵列拓扑结构的基站天线（1 400 mm×490 mm×105 mm）在相应频段工作时，驻波均小于1.4，半功率波束宽度处于65±10 °范围内。

2022-05-11
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硅基毫米波收发前端集成电路研究进展

随着第五代移动通信技术（5G）逐步向毫米波频段（FR2）部署，以及目前无人驾驶技术对毫米波雷达技术的需求，高性能的毫米波收发前端集成电路成为了目前研究的热点。与此同时，硅基器件工艺的快速发展，极大地提高了晶体管的截止频率，为低成本、高性能的硅基毫米波集成电路提供了基础。本文对近年来的毫米波通信和雷达的硅基收发前端集成电路的研究现状和发展趋势进行了综述。

2022-05-11
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大规模天线阵列系统中Doherty功放模块设计原理

目前，许多主流电信设备商所发布的 4.5G 或 Pre-5G，是一种 32 到 256 通道的大规模天线阵列系统的基带射频一体化室外型基站，应该看到，基于 4.5G 或 Pre-5G 基站通道多，体积小的需求，要求功率放大器必须是一个小尺寸高集成度的模块。传统的基站中使用的功率放大器材料 LDMOS 已经不能满足大规模阵列天线基站的要求，而基于碳化硅基底的氮化镓材料由于高功率密度，高热传导和高效率等特性，可以设计成尺寸小，性能好，可靠性高的 Doherty 功率放大器模块，并在 4.5G 或 Pre-5G 等基站中有取代 LDMOS 的趋势[4，7]。

2022-05-11
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