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MIMO OTA 在手机产品研发中的意义及其未来演进

作为高速无线通信的重要技术,MIMO(多输入多输出)已经被LTE、LTE-A及WiFi 802.11ac等标准规范所采纳,且将毫无悬念地继续应用于未来的5G高速无线通信系统当中。近年来配置了多根天线的WiFi路由器在家用市场上出现,则是一般消费者对于MIMO最直观的认识——实际上在各类4G手机内部早已布置有多根(2根接收)天线,也就是说,4G用户其实每天都在使用MIMO技术。

  • 2022-05-11
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纺织企业全流程智能纺纱工厂的建设管理

公司2018年建设的全流程智能纺纱工厂,由裕大华集团公司牵头、经纬纺织机械股份有限公司(以下简称经纬纺机)、国机智能技术研究院有限公司(以下简称国机智能)、武汉纺织大学共同参与建设的项目。项目纳入国家工信部 2018年“全流程智能纺纱新模式应用”,项目任务书执行期为2018年1月至2020年12月。2018年12月完成所有主机设备安装,开始试生产。2019年3月开始运行,主要生产高端精梳紧密纺纱线40-120支。2019年6月,项目经中纺联组织专家现场鉴定:该项目技术成熟,生产稳定,总体技术达到国际先进水平。“国产化装备智能纺纱关键技术创新及产业化应用”项目获2019年度中纺联科技进步奖二等奖。公司先后被评为中纺联“全行业智能制造试点示范企业”和“武汉市工业智能化改造提升试点示范企业”等荣誉称号。

  • 2022-05-06
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成都工业领域落实能耗双控制度的思考

2021年9月,国家发展改革委发布《完善能源消费强度和总量双控制度方案》,为能源清洁低碳安全高效利用作出制度安排。四川省委十一届十次全会提出“以实现碳达峰碳中和目标为引领、推动绿色低碳优势产业高质量发展”,从做“加法”的角度明确了培育发展新动能的基本思路。从做“减法”的角度看,能耗双控制度是实现“双碳”目标的重要抓手,有利于协同推进节能减排、减污降碳,倒逼产业结构、能源结构调整。工业是产生碳排放的主要领域之一,应当加强产业布局、结构调整与能耗双控的衔接,加快工业绿色低碳转型和高质量发展。

  • 2022-05-06
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高效线性氮化镓射频功放芯片模组研究

设计了一款基于相位失配的高线性度Doherty功率放大器(DPA),通过调节输出和输入相位失配网络,改善DPA的幅度-相位(AM-PM)特性并兼顾回退和饱和性能,并基于0.25 μm GaN HEMT工艺,设计了一款全集成DPA来验证上述方法。实测结果显示,在6.3 GHz处, AM-PM<2°,AM-AM<0.3 dB,饱和功率为41.1 dBm,6 dB回退漏极效率为45%,使用峰均比(PAPR)为7.8 dB的100 MHz调制信号,在33 dBm处,邻信道功率泄漏比(ACPR)<-43.6 dBc。

  • 2022-05-06
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氮化镓(GaN):5G时代提高射频前端和无线充电效率的新元素

5G的到来将会给半导体材料带来革命性的变化,无论是硅衬底还是碳化硅衬底,氮化镓(GaN)都将获得快速发展。从2G到5G,通信频率在不断地向高频发展,因此基站及通信设备对射频器件高频性能的要求也在不断提高。在此背景下,氮化镓(GaN)必将以其独特的高频特性、超高的功率密度,以及优越的集成度成为5G技术的核心器件。

  • 2022-05-06
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一种适用于FDD+TDD基站天线阵列的多天线共存方式

提出了一种适用于FDD+TDD基站阵列天线的新型拓扑结构,采用这种拓扑结构,结合同轴天线、阵列径向与轴向错位等技术,可在驻波、增益等指标均达标的前提下,将多列2G/3G/4G/5G基站天线拓扑在一块较小的功分板上,可大幅缩小FDD+TDD阵列天线的整体尺寸。经系列实测,使用该阵列拓扑结构的基站天线(1 400 mm×490 mm×105 mm)在相应频段工作时,驻波均小于1.4,半功率波束宽度处于65±10 °范围内。

  • 2022-05-11
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硅基毫米波收发前端集成电路研究进展

随着第五代移动通信技术(5G)逐步向毫米波频段(FR2)部署,以及目前无人驾驶 技术对毫米波雷达技术的需求,高性能的毫米波收发前端集成电路成为了目前研究的热点。 与此同时,硅基器件工艺的快速发展,极大地提高了晶体管的截止频率,为低成本、高性能 的硅基毫米波集成电路提供了基础。本文对近年来的毫米波通信和雷达的硅基收发前端集成 电路的研究现状和发展趋势进行了综述。

  • 2022-05-11
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大规模天线阵列系统中Doherty功放模块设计原理

目前,许多主流电信设备商所发布的 4.5G 或 Pre-5G,是一种 32 到 256 通道的大规模天线阵列系统的基带射频一体化室外型基站,应该看到,基于 4.5G 或 Pre-5G 基站通道多,体积小的需求,要求功率放大器必须是一个小尺寸高集成度的模块。传统 的基站中使用的功率放大器材料 LDMOS 已经不能满足大规模阵列天线基站的要求,而基于碳化硅基底的氮化镓材料由于高功率密度,高热传导和高效率等特性,可以设计成尺寸小,性能好,可靠性高的 Doherty 功率放大器模块,并在 4.5G 或 Pre-5G 等基站中有取代 LDMOS 的趋势[4,7]。

  • 2022-05-11
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