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MIMO OTA 在手机产品研发中的意义及其未来演进

作为高速无线通信的重要技术，MIMO（多输入多输出）已经被LTE、LTE-A及WiFi 802.11ac等标准规范所采纳，且将毫无悬念地继续应用于未来的5G高速无线通信系统当中。近年来配置了多根天线的WiFi路由器在家用市场上出现，则是一般消费者对于MIMO最直观的认识——实际上在各类4G手机内部早已布置有多根（2根接收）天线，也就是说，4G用户其实每天都在使用MIMO技术。

  • 2022-05-11
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纺织企业全流程智能纺纱工厂的建设管理

公司2018年建设的全流程智能纺纱工厂，由裕大华集团公司牵头、经纬纺织机械股份有限公司（以下简称经纬纺机）、国机智能技术研究院有限公司（以下简称国机智能）、武汉纺织大学共同参与建设的项目。项目纳入国家工信部 2018年“全流程智能纺纱新模式应用”，项目任务书执行期为2018年1月至2020年12月。2018年12月完成所有主机设备安装，开始试生产。2019年3月开始运行，主要生产高端精梳紧密纺纱线40-120支。2019年6月，项目经中纺联组织专家现场鉴定：该项目技术成熟，生产稳定，总体技术达到国际先进水平。“国产化装备智能纺纱关键技术创新及产业化应用”项目获2019年度中纺联科技进步奖二等奖。公司先后被评为中纺联“全行业智能制造试点示范企业”和“武汉市工业智能化改造提升试点示范企业”等荣誉称号。

  • 2022-05-06
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成都工业领域落实能耗双控制度的思考

2021年9月，国家发展改革委发布《完善能源消费强度和总量双控制度方案》，为能源清洁低碳安全高效利用作出制度安排。四川省委十一届十次全会提出“以实现碳达峰碳中和目标为引领、推动绿色低碳优势产业高质量发展”，从做“加法”的角度明确了培育发展新动能的基本思路。从做“减法”的角度看，能耗双控制度是实现“双碳”目标的重要抓手，有利于协同推进节能减排、减污降碳，倒逼产业结构、能源结构调整。工业是产生碳排放的主要领域之一，应当加强产业布局、结构调整与能耗双控的衔接，加快工业绿色低碳转型和高质量发展。

  • 2022-05-06
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高效线性氮化镓射频功放芯片模组研究

设计了一款基于相位失配的高线性度Doherty功率放大器（DPA），通过调节输出和输入相位失配网络，改善DPA的幅度-相位（AM-PM）特性并兼顾回退和饱和性能，并基于0.25 μm GaN HEMT工艺，设计了一款全集成DPA来验证上述方法。实测结果显示，在6.3 GHz处， AM-PM＜2°，AM-AM＜0.3 dB，饱和功率为41.1 dBm，6 dB回退漏极效率为45%，使用峰均比（PAPR）为7.8 dB的100 MHz调制信号，在33 dBm处，邻信道功率泄漏比（ACPR）＜-43.6 dBc。

  • 2022-05-06
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氮化镓（GaN）：5G时代提高射频前端和无线充电效率的新元素

5G的到来将会给半导体材料带来革命性的变化，无论是硅衬底还是碳化硅衬底，氮化镓（GaN）都将获得快速发展。从2G到5G，通信频率在不断地向高频发展，因此基站及通信设备对射频器件高频性能的要求也在不断提高。在此背景下，氮化镓（GaN）必将以其独特的高频特性、超高的功率密度，以及优越的集成度成为5G技术的核心器件。

  • 2022-05-06
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一种适用于FDD+TDD基站天线阵列的多天线共存方式

提出了一种适用于FDD+TDD基站阵列天线的新型拓扑结构，采用这种拓扑结构，结合同轴天线、阵列径向与轴向错位等技术，可在驻波、增益等指标均达标的前提下，将多列2G/3G/4G/5G基站天线拓扑在一块较小的功分板上，可大幅缩小FDD+TDD阵列天线的整体尺寸。经系列实测，使用该阵列拓扑结构的基站天线（1 400 mm×490 mm×105 mm）在相应频段工作时，驻波均小于1.4，半功率波束宽度处于65±10 °范围内。

  • 2022-05-11
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硅基毫米波收发前端集成电路研究进展

随着第五代移动通信技术（5G）逐步向毫米波频段（FR2）部署，以及目前无人驾驶 技术对毫米波雷达技术的需求，高性能的毫米波收发前端集成电路成为了目前研究的热点。 与此同时，硅基器件工艺的快速发展，极大地提高了晶体管的截止频率，为低成本、高性能 的硅基毫米波集成电路提供了基础。本文对近年来的毫米波通信和雷达的硅基收发前端集成 电路的研究现状和发展趋势进行了综述。

  • 2022-05-11
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大规模天线阵列系统中Doherty功放模块设计原理

目前，许多主流电信设备商所发布的 4.5G 或 Pre-5G，是一种 32 到 256 通道的大规模天线阵列系统的基带射频一体化室外型基站，应该看到，基于 4.5G 或 Pre-5G 基站通道多，体积小的需求，要求功率放大器必须是一个小尺寸高集成度的模块。传统 的基站中使用的功率放大器材料 LDMOS 已经不能满足大规模阵列天线基站的要求，而基于碳化硅基底的氮化镓材料由于高功率密度，高热传导和高效率等特性，可以设计成尺寸小，性能好，可靠性高的 Doherty 功率放大器模块，并在 4.5G 或 Pre-5G 等基站中有取代 LDMOS 的趋势[4，7]。

  • 2022-05-11
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