氮化镓(GaN):5G时代提高射频前端和无线充电效率的新元素

5G的到来将会给半导体材料带来革命性的变化,无论是硅衬底还是碳化硅衬底,氮化镓(GaN)都将获得快速发展。从2G到5G,通信频率在不断地向高频发展,因此基站及通信设备对射频器件高频性能的要求也在不断提高。在此背景下,氮化镓(GaN)必将以其独特的高频特性、超高的功率密度,以及优越的集成度成为5G技术的核心器件。

  • 2022-05-06
  • 收藏0
  • 阅读51
  • 下载0
  • 10页
  • docx
  • 146.40M

评价

评分 :
   *