目前Si基半导体由于其自身材料特性的限制，已经越来越难以满足高速发展的现代电力电子技术对半导体器件的性能要求。SiC作为新一代半导体材料具有显著的性能优势，但由于其属于典型的难加工材料，实现SiC晶圆的高质量与高效率加工成为了推动其产业化应用进程的关键。本综述在回顾近年来SiC超精密加工技术研究进展的基础上，重点介绍了一种基于等离子体氧化改性的SiC高效超精密抛光技术，分析了该技术的材料去除机理、典型装置、改性过程及抛光效果。分析结果表明，该技术具有较高的去除效率，能够获得原子级平坦表面，并且不会产生亚表面损伤。同时针对表面改性辅助抛光技术加工SiC表面过程中出现的台阶现象，探讨了该台阶结构的产生机理及调控策略。最后对等离子体辅助抛光技术的发展与挑战进行了展望。
石墨烯被誉为 21 世纪的战略性新兴材料。从 2004 年被两位英国物理学家通过撕胶带的方式获得，其优越性能被大众认识，到 2010 年这两位科学家被授予诺贝尔物理学奖，再到 2018 年 MIT 青年科学家曹原及合作导师发现双层石墨烯魔角超导现象掀开新的研究篇章，石墨烯的突破性理论研究成果在短短十几年时间中如雨后春笋般出现。
金刚石-铜复合材料具有高的热导率和可调的热膨胀系数，是一种极具竞争力的新型电子封装材料，可作为散热材料广泛应用于高功率、高封装密度的器件中。文中从工程化的角度出发，对应用中的瓶颈因素进行了研究。为改善其钎焊性能，采用磁控溅射、电镀等方法在金刚石-铜表面获得了附着力、可焊性良好的Ti-Cu-Ni-Au复合膜层。在此基础上进行了钎焊试验，金锡焊料在复合膜层上铺展良好、无虚焊。对金刚石/铜的散热效果与钼铜片做了对比试验，结果表明，在相同条件下，与钼铜热沉片相比，降温幅度超过20℃，具有更优异的散热效果。
金刚石线规模应用于蓝宝石切割始于 2007 年，而应用于晶体硅片的切割2010 年才刚刚开始。单晶硅棒由于原料纯度要求更高，材料的物理特性，更有利于切割薄硅片，故自 2015 年起，为数不多的几家行业代表首先采用了金刚石线切单晶硅，截止目前，单晶硅的主要生产商已普遍采用金刚石线切单晶硅；在多晶硅硅棒的锯切加工领域，2015 年以前主要采用砂浆钢线切割技术，随着一些行业先驱如阿特斯太阳能光电（苏州）有限公司宣布已经解决了金刚石线应用于多晶硅切割的硅片表面制绒问题，已经从技术层面扫除了金刚石线应用于多晶硅切片的障碍。
在60年代中期以前，苏联在工业中的所用的天然金刚石有70%是用于破碎后制成金刚石微粉、金刚石研磨膏和金刚石工具。自从人造金石投入工业规模生产以后，这部分天然金刚石制品几乎已全被人造金刚石所取代。据统计，到了60年代末，苏联所制造的金刚石工具中，95%是用人造金刚石，只有5%是用天然金刚石。到了90年代，原苏联人造金刚石的年产量约达到一亿克拉。由此可见原苏联人造金刚石发展之迅速和金刚石微粉用量之大。
年以来，微电子封接技术的发展是日新月异、层出不穷、突飞猛进，一代芯片必须有与之相适应的一代微电子封装。从20世纪50～60年代只三根引线TO（Transistor Outline）型金属一玻璃封接时代至7O年代开发的Dip（Double in—Line Package）型双列直插式时代，8O年代的QFP（Quad Flat package）四边引脚扁平封装时代，而90年代已是BGA（BaIl Grid Array）焊球陈列封接时代。未来的发展仍然高潮迭起，例如：CSP（Chip Package）芯片尺寸封接，MCM （Multichip）多芯片组件以及SOP（System on a package）系统级封接等都在不断和高速的开发、完善。
石墨烯是最近发现的一种具有二维平面结构的碳纳米材料, 它的特殊单原子层结构使其具有许多独特的物理化学性质.有关石墨烯的基础和应用研究已成为当前的前沿和热点课题之一.本文仅就目前石墨烯的制备方法、功能化方法以及在化学领域中的应用作一综述, 重点阐述石墨烯应用于化学修饰电极、化学电源、催化剂和药物载体以及气体传感器等方面的研究进展, 并对石墨烯在相关领域的应用前景作了展望.
过去半个多世纪在摩尔定律驱动下晶体管的尺寸不断缩小，集成电路已经接近物理极限，对材料的热耗散能力提出了更高要求，揭示半导体热传导的物理机制对器件的热管理具有重要指导意义。实验上发现砷化硼拥有与金刚石相比拟的极高热导率，而且砷化硼具有与硅接近的晶格常数，可以异质集成在硅上来解决热管理问题。
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