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半绝缘碳化硅单晶衬底的研究进展

半导体产业发展至今经历了三个阶段:第一代半导体材料以硅为代表,主要应用在以集成电路(IC)为核心的信息电子领域;第二代半导体材料以砷化镓等化合物半导体为代表,主要应用在光电子领域、通信领域;第三代半导体材料的兴起,则是以氮化镓(GaN)薄膜材料的 P 型掺杂的突破为起点,以高亮度蓝光发光二极管(LED)和蓝光激光器(LD)的研制成功为标志。

  • 2022-01-28
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碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势

碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性,传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术,本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状,分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理,指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。

  • 2022-01-28
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半导体衬底——化合物半导体材料

III-V 族化合物半导体材料中的磷化铟衬底、砷化镓衬底、锗衬底产品可用于生产射频器件、光模块、LED(Mini LED 及 Micro LED)、激光器、探测器、传感器、太空太阳能电池等器件,在 5G 通信、数据中心、新一代显示、人工智能、无人驾驶、可穿戴设备、航天等领域具有广阔的应用空间。

  • 2022-01-28
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关于SiC单晶衬底的加工技术现况及发展趋势

碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性,传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术,本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状,分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理,指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。

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碳化硅单晶衬底精密加工技术研究

SiC 作为第三代半导体材料的核心之一,是半导体界公认的“一种未来的材料”,是 21 世纪有广阔发展潜力的新型半导体材料 [1]。与 Si、GaAs相比,具有禁带宽、导热率高、电子饱和漂移速率大、化学稳定性好等优点,被用于制作高温、高频、抗辐射、大功率和高密度集成电子器件。利用其宽禁带的特性还可以制作蓝、绿光和紫外光的发光器件和光电探测器。本文简单介绍了 SiC 材料的结构和特性,以及其在半导体领域的应用,重点分析研究了 SiC单晶衬底精密加工技术,即减薄 - 研磨 - 抛光技术的方法、原理,以及加工工艺参数对衬底加工效率及表面质量的影响,对提高 SiC 单晶衬底加工工艺具有重要的指导意义。

  • 2022-01-28
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金刚石砂轮的现状与展望

 金刚石、CBN砂轮是超硬材料工具中最典型的一种工具,是以金刚石或CBN为磨料,借助于结合剂或其它辅助材料,在一定的生产条件下制成的具有一定形状、性能和用途的产品。金刚石、CBN砂轮按结合剂种类主要可分为金属结合剂、陶瓷结合剂、树脂结合剂。随着超硬材料工具技术的发展,其可加工的对象几乎囊括了所有的已知材料,大大提高了各种机械精密加工领域的加工效率、加工质量,尤其是作为高速、精密、数控、微细加工等先进制造技术的重要组成部分,其应用主要有两大领域:一是硬脆材料加工领域,主要指蓝宝石、单晶硅、多晶硅、磁性材料、碳化硅、耐火材料、玻璃、地质钻探等硬脆材料加工领域;二是各种机械精密加工领域,主要指电子、机械、汽车、新能源等精密加工领域。按其用途的不同,又可分为:金刚石磨削砂轮、金刚石锯切砂轮片、金刚石钻探刀头等几个大类。

  • 2022-01-28
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医用高分子材料产品加工技术与设备

是一种微细介入导管机头的双管挤出式结构,当物料进入人字形机头体后,在分流锥的作用下逐渐分成两股,分别进入单管流道并独立成型,一次可连续成型两根导管。图5所示一种共挤出机头结构,采用共挤出技术制造的多层管具有单层管所没有的物理性质。共挤出成形管的内壁或外壁通常具有一层或多层厚度为0.002 至0.005 英寸的涂层薄皮。薄皮能与较厚的(0.005 至0.100 英寸)主要内层或中间过渡层组合在一起。外皮能够避免功能层材料的损伤,或防止管件的内置物与使用者和/或其他内置物相互接触。

  • 2022-01-28
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切割晶圆及玻璃产品的现代技术与设备

由于需以各种非金属半导体材料晶圆制造使用价值低之微电子产品,对其加工高精度及品质改善的要求更为严苛,因此研究效率高的晶圆切割方法有其必要性。本文将探讨得以加工昂贵复杂之装置的高效晶圆切割法,笔者透过实验证明应用激光控制热裂解法的效果,提出将该方法导入玻璃、硅、蓝宝石及其他脆性非金属材料精密切割的优势与成果。

  • 2022-01-28
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