SiC 作为第三代半导体材料的核心之一，是半导体界公认的“一种未来的材料”，是 21 世纪有广阔发展潜力的新型半导体材料 [1]。与 Si、GaAs相比，具有禁带宽、导热率高、电子饱和漂移速率大、化学稳定性好等优点，被用于制作高温、高频、抗辐射、大功率和高密度集成电子器件。利用其宽禁带的特性还可以制作蓝、绿光和紫外光的发光器件和光电探测器。本文简单介绍了 SiC 材料的结构和特性，以及其在半导体领域的应用，重点分析研究了 SiC单晶衬底精密加工技术，即减薄 - 研磨 - 抛光技术的方法、原理，以及加工工艺参数对衬底加工效率及表面质量的影响，对提高 SiC 单晶衬底加工工艺具有重要的指导意义。
