单晶碳化硅晶片高效超精密抛光工艺
目前，国内外学者研究了许多碳化硅衬底平坦化技术，如机械研磨［1－2］、磁流变抛光［3］、离子束抛光［4－5］、化学机械抛光［6－7］ 等． 为了获得一定的形状，一般采用数控研抛技术对碳化硅反射镜进行研磨，其材料去除机理为机械破碎去除，会对工件造成一定的微损伤［1－2］． 王芳杰等［3］进行 6H－SiC 单晶片的磁流变抛光工艺实验，最终获得的加工表面粗糙度 Ｒa 为 0． 5 nm，亚表面破坏层深度为 1． 5 nm． Deng 等［4－5］提出等离子体辅助抛光单晶碳化硅的方法，借助大气压下水蒸气等离子体辐射进行表面改性并使用 CeO2磨料抛光，获得无损伤和原子级平坦化的碳化硅表面，但抛光前需要对表面进行适当的改性处理． Chen 等［6］采用硅溶胶对机械研磨后的碳化硅衬底进行化学机械抛光，获得表面粗糙度 ＲMS0．096 nm 的超光滑表面．
- 2022-01-28
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