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6G通感融合的愿景及典型技术探讨

通感融合是6G中一个较为突出的技术方向,它通过平衡通信和感知的需求,在继承现有网络架构或重构网络架构的基础上,实现通信和感知的一体化、设备能力的多样化和节能化。对6G通感融合的应用场景、愿景和典型技术进行探讨和分析。首先,从2个维度介绍6G通感融合的应用场景;然后,阐述6G通感融合的愿景及其典型技术;最后,对6G通感融合的发展趋势进行总结。

  • 2022-01-28
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改进聚酰亚胺金刚石砂轮磨削性能的研究

本文通过正交试验的方法,确定了适宜的配方,即:金刚石18.75(vol) ,聚酰亚胺51(vol) ,铜粉10(vol) , 冰晶石9(vol) ,其余为11.25(vol) 。用该配方制备的聚酰亚胺金刚石砂轮, 经对比磨削实验表明,砂轮的磨削性能明显改善,加工效率提高25%,具有实用价值。

  • 2022-01-28
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电镀电流对镀镍金刚石性能的影响

为研究电镀电流对金刚石表面镀镍层沉积速率的影响,采用电沉积法对金刚石表面镀镍,并观察镀层的表面形貌,同时分析了电镀电流对镀镍金刚石镀镍层致密度、冲击韧性和抗压强度的影响。实验结果表明:当电镀电流从2A升至6A,随着电流增大,金刚石的镀镍层镀速、冲击韧性和抗压强度均随之增大,并在6A时达到最大; 镀覆金刚石表面镀层均匀,且漏镀现象减少;电镀电流影响镀液温度,而镀液温度决定了镀层的致密度。电镀液温度处于50S℃时,镀镍层显微应变最小,镀层的致密度达到最大。

  • 2022-01-28
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基于碳化硅衬底的宽禁带半导体外延

宽禁带半导体具备禁带宽度大、电子饱和飘移速度高、击穿场强大等优势,是制备高功率密度、高频率、低损耗电子器件的理想材料。碳化硅(SiC)材料具有热导率高、化学稳定性好、耐高温等优点,在 SiC 衬底上外延宽禁带半导体材料,对充分发挥宽禁带半导体材料的优势,并提升宽禁带半导体电子器件的性能具有重要意义。得益于 SiC 衬底质量持续提升及成本不断降低,基于 SiC 衬底的宽禁带半导体电子市场呈现逐年增加的态势。在 SiC 衬底上外延生长高质量的宽禁带半导体材料是提高宽禁带半导体电子器件性能及可靠性的关键瓶颈。本文综述了近年来国内外研究者们在 SiC 衬底上外延 SiC、氮化镓(GaN)、氧化镓(Ga2O3)所取得的研究 进展,并展望了 SiC 衬底上宽禁带半导体外延的发展及应用前景。

  • 2022-01-27
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聚晶金刚石的特点、应用、分类及聚结机理

本文主要介绍了聚晶金刚石的特点及应用、烧结型聚晶金刚石的分类、烧结型聚晶金刚石的聚结机理。聚晶金刚石除了具有金刚石的一些性能外,还具有一些其它的优异性能,如:可以直接合成或加工成特定规整形状;可以设计或预测新产品的性能,赋予产品必要的特点等。PCD目前主要用于切削工具、石油钻探工具、拉丝模、矿山开采和耐磨元件等领域。根据PCD中晶粒结合情况可把PCD分为自身烧结和中介结合烧结两种。烧结型PCD可分为无添加剂和有添加剂两种。

  • 2022-01-27
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GaN基功率器件的好搭档:金刚石散热衬底

近十年来,氮化镓(GaN)的研究热潮席卷了全球的电子工业,这种材料属于宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度高、易于形成异质结构等优异性能,非常适于研制高频、大功率微波、毫米波器件和电路,在5G通讯、航天、国防等领域具有极高的应用价值,是近20余年以来研制微波功率器件最理想的半导体材料。

  • 2022-01-28
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金刚石半导体器件的研究进展

金刚石因其优异的物理化学特性,被视为下一代电力电子器件的终极材料,金刚石半导体器件的制备受到了科研工作者的广泛关注?文章对金刚石基二极管?开关器件和边缘终止效应等方面的研究成果进行了概述?着重阐述了金刚石半导体器件的电学特性,尤其是,在 500 ℃高温条件下得到高正向电流密度,阻断能力大于10 kV,并展现出长程稳定性的肖特基势垒二极管;在金属半导体场效应晶体管与金属氧化物半导体场效应晶体管上制得阻断电压超过 2 kV 的开关器件?同时,针对加工技术带来的表面缺陷,详细讨论了金刚石器件的表面终止技术和缺陷对器件性能的影响,并展望了金刚石半导体在肖特基势垒二极管及场效应晶体管等领域的应用前景?

  • 2022-01-27
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高导热涂层也是一种加强电子器件散热的绝佳方式

电子设备及集成电路的缩小化、智能化,元器件密度和功率不断增加,使得电子设备的高效散热成为行业的发展重点。目前,针对提高电子器件及设备导热性能,可以采用导热硅脂等热界面材料,以及向基体材料中添加具有高热导率的导热填料,来提高散热效率,且其应用较为广泛。另外可以将金刚石、石墨烯、碳纳米管作为增强相来制造复合材料,虽然其热导率最高可达600W/(m·K),但其制备工艺复杂,制作成本较高,因此实际应用较为困难。

  • 2022-01-27
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