在半导体器件的生产工艺过程中, MOSFET器件的芯片结构不同于普通晶体管, 而 且, MOSFET器件对后道装配的要求也较高, 文中从生产实际出发, 对功率MOSFET器件在测 试中出现的不良品进行了分析, 并对其失效机理和影响因素进行了探讨, 最后提出了相应的 改进措施。
晶闸管的栅极象闸门一样能够控制大电流的流通，因此被称为闸流管。是一种应用广泛的半导体功率开关器件。可用作可控整流，交流调压，无触点开关（继电器）以及大功率变频和调速系统中的重要器件。与大功率三极管相比，具有效率高，电流容量大，使用方便而又经济等优点。
自制电子管功放的最大困难莫过于绕制输出变压器和加工底盘。输出变压器的素质是决定功放音质 的关键所在，而自制一个高质量的输出变压器是相当困难的。本人经过反复试验，多次失败后，绕制的输 出变压器虽然也达到了相当满意的水平，但完成复杂的绕制工艺、烘干、真空浸漆等一系列程序也不是件 轻而易举的事情，总是让人绕完这一对，就不想再做下一对了。
对反激同步整流在低压小电流 DC－DC 变换器中的应用进行了研究，介绍 了主电路工作原理，几种驱动方式及其优缺点，选择出适合于自驱动同步整流的反激 电路拓扑，并通过样机试验，验证了该电路的实用性。
将发电机的空载工作点选取为Uo等于140V,相比其原设计点提高22％。由于电机后接整流负载，负载功率因数约为0.9,在此情况下，发电机输出12kVA功率时，励磁电流小于25A，低于JF-12A励磁绕组最大允许工作电流。
开关电源的特点是频率高、效率高、功率密度高 和可靠性高。然而由于其开关器件工作在高频通断 状态 ,使得电磁干扰 （EM I）非常严重。
电容器是由两个相互靠近的导体与中间所夹一层不导电的绝缘介质构成的。这两个导体为电容器的电极，它们具有储存电荷的能力。有把电能转换成电场能储存起来。具有充放电特性和隔直流通交流的能力。
电阻器在直流或交流电路中，当大气压在（750±30）*133。332Pa时，在产品标准中规定的额定温度下，长期连续负荷所允许消耗的最大功率，通常又称标称功率。温度升高，功率下降使用。
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光子技术以光子作为信息和能量的载体，实现信息的获取、传递、处理和呈现，以及能量的转换与释放，是引领新一轮科技革命和产业变革、促进经济增长的基础性、战略性高新技术。尤其与人工智能、先进计算等新一代信息技术深度交织的信息光子，近年来成为全球主要国家高度重视、全力布局的重点方向。
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