集成电路封装和可靠性Chapter2-1-芯片互连技术

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裸芯片封装技术的发展与挑战

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芯片封装类型（搜集整理各种芯片封装的介绍及运用）

2022-03-17
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芯片封装引线电性能的测试

2022-03-17
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《能源行业5G应用的实施方案》

5G 具有高速率、低时延、大连接等特征，是支撑能源转型的重要战略资源和新型基础设施。5G 与能源领域各行业深度融合，将有效带动能源生产和消费模式创新，为能源革命注入强大动力。为贯彻落实党中央、国务院关于加快推动 5G 应用的相关部署要求，拓展能源领域 5G 应用场景，探索可复制、易推广的 5G 应用新模式、新业态，支撑能源产业高质量发展，制定本实施方案。

2022-03-16
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氮化镓半导体材料研究与应用现状

电力电子、新能源、电动汽车、5G通讯、高速轨道列车、能源互联网和智能工业等领域的兴起，对功率器件的性能提出了越来越高的要求。但传统硅（Si）器件已达到材料的物理极限，无法满足当前应用场景的需求。作为第 3代半导体材料的典型代表，氮化镓（GaN）在 1928年由Johason等人首次成功制备，在一个大气压下，其晶体一般呈六方纤锌矿结构，其化学性质稳定，具有宽带隙（3.39eV ）、高击穿电压（3×106V/cm ）、高电子迁移率（25℃，1000cm2/V·s）、高异质结面电荷密度（1×1013cm-2）等诸多良好的电化学特性，相对于第 1代半导体材料Si和第2代半导体材料砷化镓（GaAs）器件而言，GaN器件可以在更高频率、更高功率、更高温度的情况下工作，因而被认为是制备高温、高频、大功率器件的首选材料之一。当前，Si基半导体产业正面临投资回报率递减，GaN凭借其优异性能，有望促进半导体行业新的增长。

2022-03-16
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推动央企新型储能技术研发和规模化应用

实现碳达峰、碳中和，是以习近平同志为核心的党中央统筹国内国际两个大局作出的重大战略决策，对我国实现高质量发展、全面建设社会主义现代化强国具有重要意义。中央企业在关系国家安全与国民经济命脉的重要行业和关键领域占据重要地位，同时也是我国碳排放的重点单位，应当在推进国家碳达峰、碳中和中发挥示范引领作用。为深入贯彻落实党中央、国务院关于碳达峰、碳中和的决策部署，指导中央企业做好碳达峰、碳中和工作，现提出如下意见：

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碳化硅行业深度研究报告：能量转换链的材料变革

碳化硅（SiC）是一种由碳和硅两种元素组成的宽禁带化合物半导体材料，具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点。由于碳化硅宽能带（~3.2eV）的物理性质，又称为宽禁带半导体。经过几十年的发展，硅（Si）作为半导体行业的基础材料，完成了全球 95%以上的集成电路的制造；随着电子的发展，化合物半导体如砷化镓（GaAs）、碳化硅、氮化镓（GaN）等也逐渐渗透到下游应用中。按在下游应用中出现的先后顺序，半导体主要的可分为三类：

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