碳化硅行业深度研究报告:能量转换链的材料变革

碳化硅(SiC)是一种由碳和硅两种元素组成的宽禁带化合物半导体材料,具 备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点。由 于碳化硅宽能带(~3.2eV)的物理性质,又称为宽禁带半导体。经过几十年的发展,硅(Si)作为半导体行业的基础材料,完成了全球 95%以 上的集成电路的制造;随着电子的发展,化合物半导体如砷化镓(GaAs)、碳 化硅、氮化镓(GaN)等也逐渐渗透到下游应用中。按在下游应用中出现的先 后顺序,半导体主要的可分为三类:

  • 2022-03-16
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