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小信号电路

光子的能量与光波的频率有关,称为光谱响应特性。硅光电二极管对波长0.8~0.9UM的红外光最为敏感; 锗光电二极管对1.4~1.5UM的远红外光最为敏感.

  • 2022-01-24
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并联MOSFET的雪崩特性分析

发光二极管(LED:Light Emitting Diode): 工作于正向偏置.自由电子和空穴相遇因复合而消失也会放出能量. 用特殊的半导体材料,砷化镓为红光;磷化镓为绿光.当工作电流为10MA~30MA左右时,正向电压降大约为1.5~3V. 反向击穿电压约为5V.

  • 2022-01-24
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OM-0010 CHROMA自動測試系統操作手冊V15

场效应管(FET:Field Effect Transistor)电一种电压控制型半导体器件。突出特点是输入电阻非常高,能满足高内阻的信号源对放大器要求,因此,它是较理想的前置输入级器件。功耗低,制造工艺简单,噪声低,热稳定性好,抗辐射能力强。

  • 2022-01-24
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稳定的反馈环路对开关电源来说是非常重要的

稳定的反馈环路对开关电源来说是非常重要的,如果没有足够的相位裕度和幅值裕度,电源的动态性能就会很差或者出现输出振荡。

  • 2022-01-20
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(核心)LLC全范围满载软开关优化设计

为了保证 LLC在整个输入电压范围内都能实现零电压开通(ZVS),并且能够全范围满载输出,提 出一 种 对整个谐振腔的优化设计方法.区别从完全谐振点出发,找出最难实现ZVS的工作点(低频满载点),从该点出发找 出既能全范围满载输出,又能全范围实现 ZVS的最大励磁电感,再对整个谐振腔进行优化设计.

  • 2022-01-21
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EMI EMC快速诊断与对策

近几年来,随着半导体器件制造技术的发展,开关管的导通电阻,寄生电容和反向恢复时间越来越小了,这为谐振变换器的发展提供了又一次机遇。

  • 2022-01-21
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N3856V動作原理說明

DISCONTINUE MODE 是利用流经 MOSFET 两端的电流与 MOSFET 本身之 RDS(ON)形成 电压降(VSD)和内部参考电压 20mV 比较来控制 MOSFET 的导通与关闭 , N3856V 内部有一 个电流侦测电路(current decter), 其侦测端直接接于 MOSFET 之源极(S)与泄极(

  • 2022-01-21
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用Protel99SE实现脉冲电路的仿真

针对 Protel99SE 的数字电路模型不适用于脉冲电路仿真的缺陷,通过实例论述了用创建子电路模型 和创建层次式模块电路来实现脉冲电路的仿真测试。

  • 2022-01-21
  • 阅读136
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时序大模型是面向时间序列数据的基础大模型,以 Transformer 等架构为核心,通过在海量多领域时序数据上进行预训练,学习时间维度上的通用模式、周期规律与长距离依赖关系。区别于传统时序模型针对单一任务单独训练,时序大模型具备强大的迁移能力,只需少量样本微调或零样本提示,即可适配时序预测、异常检测、缺失值补全、时序分类等下游任务。在工业场景中,它能够直接处理传感器、设备测点产生的海量时序信号,挖掘设备状态演变规律,支撑设备故障预警、工况识别与生产趋势预判,为工业智能落地提供底层模型能力。如:中服云的CServerAIR

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2025年,全球人工智能市场规模达到3909亿美元,中国人工智能核心产业规模突破9000亿元。AIAgent细分市场以49.6%的年复合增长率高速扩张,制造业应用大模型的企业比例在一年之内从9.6%跃升至47.5%。从2024年初,中国日均词元(Token)调用量为1000亿;至2025年底,跃升至100万亿;2026年3月,已突破140万亿,两年增长超千倍。这些数字背后,是一场深刻变革的加速到来-人工智能正在从"能力突破"走向“系统重构”。

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