光子的能量与光波的频率有关，称为光谱响应特性。硅光电二极管对波长0.8~0.9UM的红外光最为敏感； 锗光电二极管对1.4~1.5UM的远红外光最为敏感.
发光二极管（LED:Light Emitting Diode）: 工作于正向偏置.自由电子和空穴相遇因复合而消失也会放出能量. 用特殊的半导体材料,砷化镓为红光；磷化镓为绿光.当工作电流为10MA~30MA左右时,正向电压降大约为1.5~3V. 反向击穿电压约为5V.
场效应管（FET：Field Effect Transistor）电一种电压控制型半导体器件。突出特点是输入电阻非常高，能满足高内阻的信号源对放大器要求，因此，它是较理想的前置输入级器件。功耗低，制造工艺简单，噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强。
稳定的反馈环路对开关电源来说是非常重要的，如果没有足够的相位裕度和幅值裕度，电源的动态性能就会很差或者出现输出振荡。
为了保证 ＬＬＣ在整个输入电压范围内都能实现零电压开通（ＺＶＳ），并且能够全范围满载输出，提 出一 种 对整个谐振腔的优化设计方法．区别从完全谐振点出发，找出最难实现ＺＶＳ的工作点（低频满载点），从该点出发找 出既能全范围满载输出，又能全范围实现 ＺＶＳ的最大励磁电感，再对整个谐振腔进行优化设计．
近几年来，随着半导体器件制造技术的发展，开关管的导通电阻，寄生电容和反向恢复时间越来越小了，这为谐振变换器的发展提供了又一次机遇。
DISCONTINUE MODE 是利用流经 MOSFET 两端的电流与 MOSFET 本身之 RDS（ON）形成 电压降（VSD）和内部参考电压 20mV 比较来控制 MOSFET 的导通与关闭 , N3856V 内部有一 个电流侦测电路（current decter）, 其侦测端直接接于 MOSFET 之源极（S）与泄极（
针对 Protel99SE 的数字电路模型不适用于脉冲电路仿真的缺陷，通过实例论述了用创建子电路模型 和创建层次式模块电路来实现脉冲电路的仿真测试。
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国内重点工业物联网平台四类厂商分类及选型指南
工业物联网平台发展重点： 一是行业深耕化，从通用型平台向“一米宽、百米深”的行业垂直平台转型，聚焦能源、交通、化工等领域的特定需求，沉淀场景化解决方案与行业Know-how，而非追求“大而全”的覆盖能力。 二是智能融合化，工业大模型与平台深度结合，实现工业知识的智能化重构、应用开发的低代码化升级，以及生产运营的自感知、自决策、自优化闭环管控，AI成为提质增效的核心变量。 三是生态协同化，平台不再是单一技术载体，而是串联产业链上下游的协同中枢，通过跨系统数据融合、产学研用金深度合作，形成“数据-算力-应用”的生态闭环，赋能供应链协同与产业集群升级。 四是部署灵活化，采用“平台化产品+私有化部署”结合的模式，兼顾中小企业轻量化需求与大型集团定制化诉求，支持公有云、私有云、边缘端的混合部署，平衡成本与安全性。
当前，世界百年变局加速演进，新一轮科技革命和产业变革？深入发展，低空经济作为新质生产力的重要组成部分，正以前瞻？性、引领性姿态加速崛起，成为推动经济结构优化升级、塑造高？质量发展新动能的关键领域。
首先从华为的视角总结了企业对于数字化转型的应有的共识，以及从战略角度阐述了华为为何推行数字化转型，然后给出了华为数字化转型的整体框架(方法论)，以及企业数字化转型成熟度评估的方法，帮助读者在厘清华为开展数字化转型工作的整体脉络的同时，能快速对自身的数字化水平进行自检，
近年来，AI？快速发展。算力、存力、运力以及模型能力的协同发展水平成为衡量地区数字竞争力的关键。算力支撑数据处理与计算，存力保障数据的高效存储与调用，运力保障数据的跨域传输，模型能力则深度释放算力在各场景的应用效能。综合算力是指以算力为核心、存力为基础、运力为纽带、模力为赋能、环境为发展保障的多维度协同能力体系，是衡量数字经济发展的核心生产力指标。如何更科学评估我国综合算力发展现状，全面把握区域产业短板与优势，成为推动数字经济高质量发展的重要命题。
2022年5月，全球首款全自动生成的32位RISC-VCPU"启蒙1号"由中国科学院计算技术研究所利用AI技术成功设计。AI的利用，将生产周期从数月降至5小时生成400万逻辑门，效率提升至1/1000，标志着芯片设计进入智能化时代
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