碳化硅行业深度研究报告：能量转换链的材料变革
碳化硅（SiC）是一种由碳和硅两种元素组成的宽禁带化合物半导体材料，具 备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点。由 于碳化硅宽能带（~3.2eV）的物理性质，又称为宽禁带半导体。经过几十年的发展，硅（Si）作为半导体行业的基础材料，完成了全球 95%以 上的集成电路的制造；随着电子的发展，化合物半导体如砷化镓（GaAs）、碳 化硅、氮化镓（GaN）等也逐渐渗透到下游应用中。按在下游应用中出现的先 后顺序，半导体主要的可分为三类：
- 2022-03-16
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