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MOSFET和IGBT的对比分析

绝缘电阻和时间常数. 绝缘电阻表示电容器的漏电性能. 它在数值上等于加在电容器两端的电压除以漏电流.. 3: 抗电强度: 表示电容能够承受加在它的两个引出端上的电压而不被击穿的能力.:工作电压.试验电压. 4: 电容器的损耗: 电容器在电场作用下.单位时间内因发热而消耗的能量为电容器的损耗. 5 电容器的温度系数:

  • 2022-01-24
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最明了的RCC电源变压器设计方法(绝对原创,申请加精)

与铝电解电容相比:损耗小,漏电流小,绝缘电阻大,性能稳定,寿命长,体积小,容量大,价格高,通常只在要求较高的场合下才用。

  • 2022-01-24
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浅析宽电压输入半桥型LLC谐振变换器设计与实验

凡能产生电感作用的元件统称为电感器,简称电感。通常电感都是由线圈构成,故也称电感线圈。它是一种储磁能元件。具有通直隔交的特性。用L表示。单位是亨利,简称为亨。

  • 2022-01-24
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第八章 效率与散热设计

电感量及其精度; 品质因数:线圈中储存能量与消耗能量的比值称为品质因数; 分布电容:线圈圈匝与圈匝之间,线圈与底座之间均存在分布电容; 稳定性: 电感量随温度,湿度等变化的程度。

  • 2022-01-24
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Cool-MOSFET与的其他MOSFET的区别

变换电压,电流和阻抗的器件。它是利用电磁感应原理。即利用两个线圈之间存在的互感原理制成的。一般由铁芯和线圈两部分组成。线圈有两个或更多的线组,接电源的绕组叫初级线圈,其余的绕组叫次级线圈。

  • 2022-01-24
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张兴柱之MOSFET分析

利用击穿时通过管子的电流在很大范围内变化,而管子的电压变化很小的特性。实现稳压。硅稳压管实质就是工作在反向击穿状态下的硅二极管。主要参数:稳压电压,稳压电流,最大稳压电流,一般外电路串接一个限流电阻,需要稳压的负载并连在稳压管两端。

  • 2022-01-22
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LLC串联谐振拓朴及控制

光子的能量与光波的频率有关,称为光谱响应特性。硅光电二极管对波长0.8~0.9UM的红外光最为敏感; 锗光电二极管对1.4~1.5UM的远红外光最为敏感.

  • 2022-01-22
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瞬态电压抑制二极管(TVS)

发光二极管(LED:Light Emitting Diode): 工作于正向偏置.自由电子和空穴相遇因复合而消失也会放出能量. 用特殊的半导体材料,砷化镓为红光;磷化镓为绿光.当工作电流为10MA~30MA左右时,正向电压降大约为1.5~3V. 反向击穿电压约为5V.

  • 2022-01-24
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