晶闸管导通后，控制极就失去作用。要使其关断，必须把正向阳极电压降到一定的数值（或者在晶闸管阳，阴极间施加反向电压）使流过晶闸的电流小于维持电流。 单向半波可控硅；单向桥式可控硅
国际上形成主流的集成数字逻辑电路：7个TTL系列；5个CMOS系列。标准TTL电路（STDTTL）；高速TTL（HTTL）；低功耗TTL（LTTL）；肖特基TTL（STTL）；低功耗肖待基TTL（LSTTL）；先进肖特基TTL（ASTTL），先进低功耗肖特基TTL（ALSTTL）；仙童（快捷）；先进肖特基TTL（FAST），CMOS 4000系列电路；高速CMOS电路（HC或HCT）；先进CMOS逻辑
发光二极管（LED:Light Emitting Diode）: 工作于正向偏置.自由电子和空穴相遇因复合而消失也会放出能量. 用特殊的半导体材料,砷化镓为红光；磷化镓为绿光.当工作电流为10MA~30MA左右时,正向电压降大约为1.5~3V.
晶闸管的栅极象闸门一样能够控制大电流的流通，因此被称为闸流管。是一种应用广泛的半导体功率开关器件。可用作可控整流，交流调压，无触点开关（继电器）以及大功率变频和调速系统中的重要器件。与大功率三极管相比，具有效率高，电流容量大，使用方便而又经济等优点。
三极管各电极中的电流：1. 发射区向基区注入电子: 发射区正偏,发射区的自由电子不断地扩散到基区,并不断从电源补充进电子,形成发射极电流. 2: 电子注入基区后: 由于基区很薄,从发射区向基区注入的电子在向集电结扩散的过程中,只有少量与基区中的多子（空穴）相复合.与空穴复合的电子流记作IBN。
供屏蔽用的金属外壳也有电极，用字母D表示；大功率管的集电极通常与金属外壳相连。两种不同的三极管的区别仅在于基极与发射极箭头的方向。箭头方向表示发射结正向偏置时的电流方向。以此判断NPN或PNP型。
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