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射频氮化镓（GaN）技术正在走向主流应用

现在能够提供射频氮化镓器件的厂商主要有科锐、英飞凌、Macom、恩智浦、Qorvo和住友等厂商。（英飞凌在2016年7月已经宣布收购科锐的Wolfspeed部门，Wolfspeed提供碳化硅功率器件和碳化硅基氮化镓射频器件）。还有包括波音、Northrop Grumman和雷神等在内的军工厂商也在开发氮化镓和其他三五价技术。

  • 2022-05-07
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Si基GaN射频器件研究进展

本文主要调研了 近 年 来 国 内 外 关 于 Ｓｉ基 ＧａＮ 射频器件在材料、工 艺 与 电 路 上 的 研 究 进 展，剖析了相关技术难点与存在问题，并展望了 Ｓｉ基 ＧａＮ 射频器件未来的优化发展方向。此 外 还 基 于 射 频 损 耗 较 低 的高阻 Ｓｉ上 ＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴ 材 料，报 道 了 研 制 的０．２５μｍ 及０．４μｍ 工艺下的Ｓｉ基 ＧａＮ 射频器件，经测试在 Ｃ波段及 Ｘ 波段下工作性能优异，揭示了Ｓｉ基ＧａＮ 射频器件在５Ｇ 应 用 及 低 成 本 雷 达 等 领 域 的 独 特优势和应用前景。

  • 2022-05-07
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氮化镓（GaN）：5G时代提高射频前端和无线充电效率的新元素

5G的到来将会给半导体材料带来革命性的变化，无论是硅衬底还是碳化硅衬底，氮化镓（GaN）都将获得快速发展。从2G到5G，通信频率在不断地向高频发展，因此基站及通信设备对射频器件高频性能的要求也在不断提高。在此背景下，氮化镓（GaN）必将以其独特的高频特性、超高的功率密度，以及优越的集成度成为5G技术的核心器件。

  • 2022-05-06
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一篇文章了解射频氮化镓（GaN）技术应用现状

虽然氮化镓用到手机上还不现实，但业界还是要关 注射频氮化镓技术的发展。“与砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）等高频工艺相比，氮化镓器件输出的功率更大；与LDCMOS和碳化硅（SiC）等功率工艺相比，氮化镓的频率特性更好。” 分析机构Strategy Analytics的分析师Eric Higham说。

  • 2022-05-06
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高效线性氮化镓射频功放芯片模组研究

设计了一款基于相位失配的高线性度Doherty功率放大器（DPA），通过调节输出和输入相位失配网络，改善DPA的幅度-相位（AM-PM）特性并兼顾回退和饱和性能，并基于0.25 μm GaN HEMT工艺，设计了一款全集成DPA来验证上述方法。实测结果显示，在6.3 GHz处， AM-PM＜2°，AM-AM＜0.3 dB，饱和功率为41.1 dBm，6 dB回退漏极效率为45%，使用峰均比（PAPR）为7.8 dB的100 MHz调制信号，在33 dBm处，邻信道功率泄漏比（ACPR）＜-43.6 dBc。

  • 2022-05-06
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宁德时代智能工厂实践与创新

锂电池生产是典型的离散型制造业。正因如此，锂电池企业面临着诸多问题。为满足生产制造能力和可持续发展需要，宁德时代在智能工厂的建设上不断实践与创新，为智能制造提供了一个成功模板。通过实施智能工厂战略，宁德时代也完成了智能制造三个阶段的升级跃迁。

  • 2022-05-06
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成都工业领域落实能耗双控制度的思考

2021年9月，国家发展改革委发布《完善能源消费强度和总量双控制度方案》，为能源清洁低碳安全高效利用作出制度安排。四川省委十一届十次全会提出“以实现碳达峰碳中和目标为引领、推动绿色低碳优势产业高质量发展”，从做“加法”的角度明确了培育发展新动能的基本思路。从做“减法”的角度看，能耗双控制度是实现“双碳”目标的重要抓手，有利于协同推进节能减排、减污降碳，倒逼产业结构、能源结构调整。工业是产生碳排放的主要领域之一，应当加强产业布局、结构调整与能耗双控的衔接，加快工业绿色低碳转型和高质量发展。

  • 2022-05-06
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纺织企业全流程智能纺纱工厂的建设管理

公司2018年建设的全流程智能纺纱工厂，由裕大华集团公司牵头、经纬纺织机械股份有限公司（以下简称经纬纺机）、国机智能技术研究院有限公司（以下简称国机智能）、武汉纺织大学共同参与建设的项目。项目纳入国家工信部 2018年“全流程智能纺纱新模式应用”，项目任务书执行期为2018年1月至2020年12月。2018年12月完成所有主机设备安装，开始试生产。2019年3月开始运行，主要生产高端精梳紧密纺纱线40-120支。2019年6月，项目经中纺联组织专家现场鉴定：该项目技术成熟，生产稳定，总体技术达到国际先进水平。“国产化装备智能纺纱关键技术创新及产业化应用”项目获2019年度中纺联科技进步奖二等奖。公司先后被评为中纺联“全行业智能制造试点示范企业”和“武汉市工业智能化改造提升试点示范企业”等荣誉称号。

  • 2022-05-06
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