半导体三极管又叫晶体三极管，通常简称三极管或晶体管。三极管具有电流放大作用。三极管内部结构：基区很薄，发射区的掺杂浓度比基区和集电区的浓度大得多，集电结的面积比发射结的面积大。
发光二极管（LED:Light Emitting Diode）: 工作于正向偏置.自由电子和空穴相遇因复合而消失也会放出能量. 用特殊的半导体材料,砷化镓为红光；磷化镓为绿光.当工作电流为10MA~30MA左右时,正向电压降大约为1.5~3V. 反向击穿电压约为5V.
光子的能量与光波的频率有关，称为光谱响应特性。硅光电二极管对波长0.8~0.9UM的红外光最为敏感； 锗光电二极管对1.4~1.5UM的远红外光最为敏感.
变容二极管：是利用PN结的电容效应而工作的。容值大小不是恒定值，它与PN结的反偏电压大小有关，升高时，电容减小，常用于调谐电容使用。
由于介质AL2O3和电解质交界处具有单向导电性，所以有极性。其缺点是容量误差大，损耗大，漏电流大，时间稳定性差，容量损耗的温度频率特性差。它适用于直流或脉动电路中作整流，滤波和音频旁路。
铝电解电容CD型：两电极是不同材料制成。用铝箔作正极，电解质作负极。介质AL2O3膜是在正极铝箔表面上生成的。单位体积电容量特大，单位容量价格最低，重量最轻。
瓷介电容CC型： 体积小，耐热性好，且能耐酸，碱，盐类的侵蚀。损耗小，绝缘电阻高，稳定性高。容量较小。常用于要求低损耗和容量稳定的高频电路中，或做温度补偿之用。
电容器的损耗: 电容器在电场作用下.单位时间内因发热而消耗的能量为电容器的损耗. 5 电容器的温度系数: 电容量随温度变化的程度.
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