利用击穿时通过管子的电流在很大范围内变化，而管子的电压变化很小的特性。实现稳压。硅稳压管实质就是工作在反向击穿状态下的硅二极管。主要参数：稳压电压，稳压电流，最大稳压电流，一般外电路串接一个限流电阻，需要稳压的负载并连在稳压管两端。
变容二极管：是利用PN结的电容效应而工作的。容值大小不是恒定值，它与PN结的反偏电压大小有关，升高时，电容减小，常用于调谐电容使用。
光电二极管（光敏二极管）外界能量的（光,热）激发产生电子空穴对.：反偏状态。由光照射产生光生载流子。通过回路的外接电阻可获得电流，从而实现光电转换或光电控制。
光子的能量与光波的频率有关，称为光谱响应特性。硅光电二极管对波长0.8~0.9UM的红外光最为敏感； 锗光电二极管对1.4~1.5UM的远红外光最为敏感.
发光二极管（LED:Light Emitting Diode）: 工作于正向偏置.自由电子和空穴相遇因复合而消失也会放出能量. 用特殊的半导体材料,砷化镓为红光；磷化镓为绿光.当工作电流为10MA~30MA左右时,正向电压降大约为1.5~3V. 反向击穿电压约为5V.
半导体三极管又叫晶体三极管，通常简称三极管或晶体管。三极管具有电流放大作用。三极管内部结构：基区很薄，发射区的掺杂浓度比基区和集电区的浓度大得多，集电结的面积比发射结的面积大。
供屏蔽用的金属外壳也有电极，用字母D表示；大功率管的集电极通常与金属外壳相连。两种不同的三极管的区别仅在于基极与发射极箭头的方向。箭头方向表示发射结正向偏置时的电流方向。以此判断NPN或PNP型。
三极管各电极中的电流：1. 发射区向基区注入电子: 发射区正偏,发射区的自由电子不断地扩散到基区,并不断从电源补充进电子,形成发射极电流. 2: 电子注入基区后: 由于基区很薄,从发射区向基区注入的电子在向集电结扩散的过程中,只有少量与基区中的多子（空穴）相复合.与空穴复合的电子流记作IBN。
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PID是比例(Proportional)、积分(Integral)、微分(Differential)的缩写PID是一种闭环控制算法，它动态改变施加到被控对象的输出值(Out)，使得被控对象某一物理量的实际值(Actual)，能够快速、准确、稳定地跟踪到指定的目标值(Target)PID是一种基于误差(Error)调控的算法，其中规定:误差=目标值-实际值PID的任务是使误差始终为0PID对被控对象模型要求低，无需建模，即使被控对象内部运作规律不明确PID也能进行调控
紧接上文，我们讲的是连续形式的PID公式，但连续形式的PID需要用模拟电路来实现，对于单片机而言，我们需要离散形式的PID，本节我们就来看看离散型PID的具体实现：
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