光子的能量与光波的频率有关，称为光谱响应特性。硅光电二极管对波长0.8~0.9UM的红外光最为敏感； 锗光电二极管对1.4~1.5UM的远红外光最为敏感.
发光二极管（LED:Light Emitting Diode）: 工作于正向偏置.自由电子和空穴相遇因复合而消失也会放出能量. 用特殊的半导体材料,砷化镓为红光；磷化镓为绿光.当工作电流为10MA~30MA左右时,正向电压降大约为1.5~3V. 反向击穿电压约为5V.
半导体三极管又叫晶体三极管，通常简称三极管或晶体管。三极管具有电流放大作用。三极管内部结构：基区很薄，发射区的掺杂浓度比基区和集电区的浓度大得多，集电结的面积比发射结的面积大。
为实现电流放大作用，必须具备一定的外部条件：发射结加正压；集电结加反压。 三极管内部结构为两个PN结，根据三层半导体区排列方式不同，分为PNP型与NPN型两种。基极（B：Base ）；发射极（E：Emitter ）；集电极（C：Collector）；
供屏蔽用的金属外壳也有电极，用字母D表示；大功率管的集电极通常与金属外壳相连。两种不同的三极管的区别仅在于基极与发射极箭头的方向。箭头方向表示发射结正向偏置时的电流方向。以此判断NPN或PNP型。
三极管各电极中的电流：1. 发射区向基区注入电子: 发射区正偏,发射区的自由电子不断地扩散到基区,并不断从电源补充进电子,形成发射极电流. 2: 电子注入基区后: 由于基区很薄,从发射区向基区注入的电子在向集电结扩散的过程中,只有少量与基区中的多子（空穴）相复合.与空穴复合的电子流记作IBN。
因基区的空穴是电源VBB提供，故IBN是基极电流IB的主要成分。3: 集电极收集电子的情况： 由于集电结反向电压,从发射区向基区注入的电子成为集电极电流IC的主要成分.
三极管的工作有赖于两种载流子---电子和空穴,因此又称为双极型晶体三极管（BJT: Bipolar Junotion Type Transistor）.IC=?IB 利用基极回路的小电流IB,实现对集电极,发射极回路的大电流IC（IE）控制,这就是三极管以弱控制强的电流放大作用.由于三极管有三个电极,必然有一个极为输入与输出的公共端.共哪个极就是哪个极为输入与输出的公共端.
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