晶闸管导通后，控制极就失去作用。要使其关断，必须把正向阳极电压降到一定的数值（或者在晶闸管阳，阴极间施加反向电压）使流过晶闸的电流小于维持电流。 单向半波可控硅；单向桥式可控硅
晶闸管的栅极象闸门一样能够控制大电流的流通，因此被称为闸流管。是一种应用广泛的半导体功率开关器件。可用作可控整流，交流调压，无触点开关（继电器）以及大功率变频和调速系统中的重要器件。与大功率三极管相比，具有效率高，电流容量大，使用方便而又经济等优点。
三极管的工作有赖于两种载流子---电子和空穴,因此又称为双极型晶体三极管（BJT: Bipolar Junotion Type Transistor）.IC=?IB 利用基极回路的小电流IB,实现对集电极,发射极回路的大电流IC（IE）控制,这就是三极管以弱控制强的电流放大作用.由于三极管有三个电极,必然有一个极为输入与输出的公共端.共哪个极就是哪个极为输入与输出的公共端.
因基区的空穴是电源VBB提供，故IBN是基极电流IB的主要成分。3: 集电极收集电子的情况： 由于集电结反向电压,从发射区向基区注入的电子成为集电极电流IC的主要成分.
三极管各电极中的电流：1. 发射区向基区注入电子: 发射区正偏,发射区的自由电子不断地扩散到基区,并不断从电源补充进电子,形成发射极电流. 2: 电子注入基区后: 由于基区很薄,从发射区向基区注入的电子在向集电结扩散的过程中,只有少量与基区中的多子（空穴）相复合.与空穴复合的电子流记作IBN。
供屏蔽用的金属外壳也有电极，用字母D表示；大功率管的集电极通常与金属外壳相连。两种不同的三极管的区别仅在于基极与发射极箭头的方向。箭头方向表示发射结正向偏置时的电流方向。以此判断NPN或PNP型。
为实现电流放大作用，必须具备一定的外部条件：发射结加正压；集电结加反压。 三极管内部结构为两个PN结，根据三层半导体区排列方式不同，分为PNP型与NPN型两种。基极（B：Base ）；发射极（E：Emitter ）；集电极（C：Collector）；
半导体三极管又叫晶体三极管，通常简称三极管或晶体管。三极管具有电流放大作用。三极管内部结构：基区很薄，发射区的掺杂浓度比基区和集电区的浓度大得多，集电结的面积比发射结的面积大。
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