近年来，随着电子设备的小型化、轻量化，高导热石墨膜材料受到广泛关注。本文综述了聚酰亚胺（PI）基石墨膜材料的制备，详细介绍了石墨膜性能的影响因素，主要涉及分子结构、分子取向和其他材料的诱导作用等，简述了石墨膜复合材料的研究和专利近况，并对未来石墨膜材料的研究方向提出了建议与展望。
石墨烯是最近发现的一种具有二维平面结构的碳纳米材料, 它的特殊单原子层结构使其具有许多独特的物理化学性质.有关石墨烯的基础和应用研究已成为当前的前沿和热点课题之一.本文仅就目前石墨烯的制备方法、功能化方法以及在化学领域中的应用作一综述, 重点阐述石墨烯应用于化学修饰电极、化学电源、催化剂和药物载体以及气体传感器等方面的研究进展, 并对石墨烯在相关领域的应用前景作了展望.
伴随脉冲激光技术的快速发展，脉冲激光沉积（Pulsed Laser Deposition，PLD）制备高性能薄膜已成为研究热点。由于脉冲激光具有高能量密度以及短脉宽，烧蚀靶材时会溅射出大量复杂的微纳粒子并形成等离子体，等离子体在真空或环境气体中经过定向膨胀后到达基底，在基底上形成产物，因此利用PLD技术可在基底上沉积特定成分和微纳结构的薄膜。
年以来，微电子封接技术的发展是日新月异、层出不穷、突飞猛进，一代芯片必须有与之相适应的一代微电子封装。从20世纪50～60年代只三根引线TO（Transistor Outline）型金属一玻璃封接时代至7O年代开发的Dip（Double in—Line Package）型双列直插式时代，8O年代的QFP（Quad Flat package）四边引脚扁平封装时代，而90年代已是BGA（BaIl Grid Array）焊球陈列封接时代。未来的发展仍然高潮迭起，例如：CSP（Chip Package）芯片尺寸封接，MCM （Multichip）多芯片组件以及SOP（System on a package）系统级封接等都在不断和高速的开发、完善。
石墨烯被誉为 21 世纪的战略性新兴材料。从 2004 年被两位英国物理学家通过撕胶带的方式获得，其优越性能被大众认识，到 2010 年这两位科学家被授予诺贝尔物理学奖，再到 2018 年 MIT 青年科学家曹原及合作导师发现双层石墨烯魔角超导现象掀开新的研究篇章，石墨烯的突破性理论研究成果在短短十几年时间中如雨后春笋般出现。
激光是20世纪以来，继原子能、计算机、半导体之后，人类的又一重大发明，被称为“最快的刀”、“最准的尺”、“最亮的光”、“奇异的光”。它的亮度约为太阳光的100亿倍。六十年前，美国年轻的物理学家梅曼成功研制了人类历史上第一台激光器——红宝石激光器，每年的5月16日，激光的诞生日，被定为“国际光日”。
目前Si基半导体由于其自身材料特性的限制，已经越来越难以满足高速发展的现代电力电子技术对半导体器件的性能要求。SiC作为新一代半导体材料具有显著的性能优势，但由于其属于典型的难加工材料，实现SiC晶圆的高质量与高效率加工成为了推动其产业化应用进程的关键。本综述在回顾近年来SiC超精密加工技术研究进展的基础上，重点介绍了一种基于等离子体氧化改性的SiC高效超精密抛光技术，分析了该技术的材料去除机理、典型装置、改性过程及抛光效果。分析结果表明，该技术具有较高的去除效率，能够获得原子级平坦表面，并且不会产生亚表面损伤。同时针对表面改性辅助抛光技术加工SiC表面过程中出现的台阶现象，探讨了该台阶结构的产生机理及调控策略。最后对等离子体辅助抛光技术的发展与挑战进行了展望。
石墨烯作为一种新型的二维晶体材料，其制备方法及应用一直是研究者关注的重点， 近年来，在绝缘衬底表面生长石墨烯已经成为研究者关注的重点，许多新的策略和方案被提 出且在 SiO2/Si、蓝宝石、GaN、玻璃等多种绝缘衬底，进行了尝试并取得了较为不错的进展。目前金刚石衬底直接生长石墨烯的研究较少，然而金刚石作为石墨烯衬底因其许多不可代替 的优异特性，正在吸引着研究者们的格外关注。本文以金刚石为研究对象，介绍目前在金刚 石衬底上生长石墨烯的研究进展及相应器件的应用技术，展望了金刚石衬底上制备石墨烯的发展前景。
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