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反激电源设计原理分析

因基区的空穴是电源VBB提供,故IBN是基极电流IB的主要成分。3: 集电极收集电子的情况: 由于集电结反向电压,从发射区向基区注入的电子成为集电极电流IC的主要成分.

  • 2022-01-21
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高速PCB设计指南之六:混合信号电路板的设计准则

模拟电路的工作依赖连续变化的电流和电压。数字电路的工作依赖在接收端根据预先定 义的电压电平或门限对高电平或低电平的检测,它相当于判断逻辑状态的“真”或“假”。在数 字电路的高电平和低电平之间,存在“灰色”区域,在此区域数字电路有时表现出模拟效应,

  • 2022-01-21
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高速PCB设计指南之八:掌握IC封装的特性以达到最佳EMI抑制性能

将去耦电容直接放在 IC 封装内可以有效控制 EMI 并提高信号的完整性,本文从 IC 内 部封装入手,分析 EMI 的来源、IC 封装在 EMI 控制中的作用,进而提出 11 个有效控制 EMI 的设计规则,包括封装选择、引脚结构考虑、输出驱动器以及去耦电容的设计方法等,有助 于设计工程师在新的设计中选择最合适的集成电路芯片,以达到最佳 EMI 抑制的性能。

  • 2022-01-21
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运算放大器的单电源供电方法

大部分运算放大器要求双电源(正负电源)供电,只有少部分运算放大器可以在单电源供电状态下工作,如 LM358(双运放)、LM324(四运放)、 CA3140(单运放)等。需要说明的是,单电源供电的运算放大器不仅可以在单电源条件下工作,也可在双电源供电状态下工作。

  • 2022-01-21
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浅析基于碳化硅MOSFET的谐振LLC和移相电路

本文将讨论谐振LLC和移相(Phase Shift)两种隔离DC/DC拓扑的性能特点以及在新能源汽车电源中的应用,然后针对宽禁带碳化硅MOSFET对两种隔离DC/DC拓扑的应用进行了比较,并给出基于碳化硅MOSFET的20KW直流充电模块用两种拓扑结构的实验和总结

  • 2022-01-21
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(核心)开关电源环路设计(详细)

供屏蔽用的金属外壳也有电极,用字母D表示;大功率管的集电极通常与金属外壳相连。两种不同的三极管的区别仅在于基极与发射极箭头的方向。箭头方向表示发射结正向偏置时的电流方向。以此判断NPN或PNP型。

  • 2022-01-21
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单级功率因数校正(PFC)变换器的设计

单级功率因数校正(PFC)变换器的设计:为了减少对交流电网的谐波污染,国际上推出了一些限制电流谐波的标准,如 IEC 1000- 3-2,它要求开关电源必须采取措施降低电流谐波含量。

  • 2022-01-21
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基于UC3842的开关电源保护电路的改进

UC3842 是美国 Unltmde 公司生产的一种性能优良的电流控制型脉宽调制芯片,它具 有管脚数量少,外围电路简单等特点,因而得到了广泛的应用。但随着 UC3842 开关 频率的提高,由它所构成的开关电源的保护电路也出现了很多问题。本文分析了 UC3842 保护电路的缺陷及改进的方法。

  • 2022-01-21
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