三极管各电极中的电流：1. 发射区向基区注入电子: 发射区正偏,发射区的自由电子不断地扩散到基区,并不断从电源补充进电子,形成发射极电流. 2: 电子注入基区后: 由于基区很薄,从发射区向基区注入的电子在向集电结扩散的过程中,只有少量与基区中的多子（空穴）相复合.与空穴复合的电子流记作IBN。
供屏蔽用的金属外壳也有电极，用字母D表示；大功率管的集电极通常与金属外壳相连。两种不同的三极管的区别仅在于基极与发射极箭头的方向。箭头方向表示发射结正向偏置时的电流方向。以此判断NPN或PNP型。
为实现电流放大作用，必须具备一定的外部条件：发射结加正压；集电结加反压。 三极管内部结构为两个PN结，根据三层半导体区排列方式不同，分为PNP型与NPN型两种。基极（B：Base ）；发射极（E：Emitter ）；集电极（C：Collector）；
发光二极管（LED:Light Emitting Diode）: 工作于正向偏置.自由电子和空穴相遇因复合而消失也会放出能量. 用特殊的半导体材料,砷化镓为红光；磷化镓为绿光.当工作电流为10MA~30MA左右时,正向电压降大约为1.5~3V. 反向击穿电压约为5V.
光子的能量与光波的频率有关，称为光谱响应特性。硅光电二极管对波长0.8~0.9UM的红外光最为敏感； 锗光电二极管对1.4~1.5UM的远红外光最为敏感.
利用击穿时通过管子的电流在很大范围内变化，而管子的电压变化很小的特性。实现稳压。硅稳压管实质就是工作在反向击穿状态下的硅二极管。主要参数：稳压电压，稳压电流，最大稳压电流，一般外电路串接一个限流电阻，需要稳压的负载并连在稳压管两端。
变换电压，电流和阻抗的器件。它是利用电磁感应原理。即利用两个线圈之间存在的互感原理制成的。一般由铁芯和线圈两部分组成。线圈有两个或更多的线组，接电源的绕组叫初级线圈，其余的绕组叫次级线圈。
电感量及其精度； 品质因数：线圈中储存能量与消耗能量的比值称为品质因数； 分布电容：线圈圈匝与圈匝之间，线圈与底座之间均存在分布电容； 稳定性： 电感量随温度，湿度等变化的程度。
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