随着低维纳米材料在高密度、多功能微纳光电子器件中的广泛研究与应用,实现低维度下高质量材料互连已成为微纳器件高性能制造的关键。由于纳米材料自身的尺度效应及结构限制,传统宏观、微观尺度下的材料互连技术将难以实现在微纳空间上对输入能量的高精度控制,以降低连接过程中的材料损伤。
近十年来,氮化镓(GaN)的研究热潮席卷了全球的电子工业,这种材料属于宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度高、易于形成异质结构等优异性能,非常适于研制高频、大功率微波、毫米波器件和电路,在5G通讯、航天、国防等领域具有极高的应用价值,是近20余年以来研制微波功率器件最理想的半导体材料。
薄膜材料是典型的二维材料,即在两个尺度上较大,而在第三个尺度上很小。与一般常用的三维块体材料相比,在性能和结构上具有很多特点。最大的特点是功能膜的某些性能可以在制备时通过特殊的薄膜制备方法实现。这是薄膜功能材料成为人们关注和研究的热点材料的原因。
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