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500kV常规变电站智能化改造技术方案研究

500kV常规变电站智能化改造技术方案研究。

  • 2022-01-27
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基于碳化硅衬底的宽禁带半导体外延

宽禁带半导体具备禁带宽度大、电子饱和飘移速度高、击穿场强大等优势,是制备高功率密度、高频率、低损耗电子器件的理想材料。碳化硅(SiC)材料具有热导率高、化学稳定性好、耐高温等优点,在 SiC 衬底上外延宽禁带半导体材料,对充分发挥宽禁带半导体材料的优势,并提升宽禁带半导体电子器件的性能具有重要意义。得益于 SiC 衬底质量持续提升及成本不断降低,基于 SiC 衬底的宽禁带半导体电子市场呈现逐年增加的态势。在 SiC 衬底上外延生长高质量的宽禁带半导体材料是提高宽禁带半导体电子器件性能及可靠性的关键瓶颈。本文综述了近年来国内外研究者们在 SiC 衬底上外延 SiC、氮化镓(GaN)、氧化镓(Ga2O3)所取得的研究 进展,并展望了 SiC 衬底上宽禁带半导体外延的发展及应用前景。

  • 2022-01-27
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智能电务研究与探索_黄靖茹

智能,电务,研究,与,探索,黄,靖,茹电力的合理利用

  • 2022-01-27
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关于石墨烯的制备与改性方法及其应用领域

石墨烯是一种由s p 杂化单层碳原子构成的二维蜂窝状晶格结构薄膜, 在石墨烯中,碳原子在不停地振动, 振动幅度可超过其厚度, 有序的晶体结构赋予其特殊的晶格振动减正模能量量子即石墨烯进行热传导的声子载体, 同时由于其特殊的平面结构以及较大的横纵比, 降低了声子散射效应, 表现出优异的导热特性, 研究表明其热导率已超越石墨、碳纳米管等碳同素异形体的极限。导热填料在基体中能否相互搭接, 形成有效导热网络是表征复合材料导热性能的重要依据, 石墨烯优异的导热特性以及大片层结构, 能够很好地在填充基材中形成热流网络,获得整体导热性能优异的高导热体系。具有优异的光学、电学、力学特性,在材料学、微纳加工、能源、生物医学和药物传递等方面具有重要的应用前景.

  • 2022-01-27
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基于聚酰亚胺的高导热石墨膜材料的研究进展

近年来,随着电子设备的小型化、轻量化,高导热石墨膜材料受到广泛关注。本文综述了聚酰亚胺(PI)基石墨膜材料的制备,详细介绍了石墨膜性能的影响因素,主要涉及分子结构、分子取向和其他材料的诱导作用等,简述了石墨膜复合材料的研究和专利近况,并对未来石墨膜材料的研究方向提出了建议与展望。

  • 2022-01-27
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石墨烯的制备、功能化及在化学中的应用

石墨烯是最近发现的一种具有二维平面结构的碳纳米材料, 它的特殊单原子层结构使其具有许多独特的物理化学性质.有关石墨烯的基础和应用研究已成为当前的前沿和热点课题之一.本文仅就目前石墨烯的制备方法、功能化方法以及在化学领域中的应用作一综述, 重点阐述石墨烯应用于化学修饰电极、化学电源、催化剂和药物载体以及气体传感器等方面的研究进展, 并对石墨烯在相关领域的应用前景作了展望.

  • 2022-01-27
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高性能薄膜制备利器——脉冲激光沉积技术

伴随脉冲激光技术的快速发展,脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition,PLD)制备高性能薄膜已成为研究热点。由于脉冲激光具有高能量密度以及短脉宽,烧蚀靶材时会溅射出大量复杂的微纳粒子并形成等离子体,等离子体在真空或环境气体中经过定向膨胀后到达基底,在基底上形成产物,因此利用PLD技术可在基底上沉积特定成分和微纳结构的薄膜。

  • 2022-01-27
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功率电子器件用高热导热率的封接、封装材料

年以来,微电子封接技术的发展是日新月异、层出不穷、突飞猛进,一代芯片必须有与之相适应的一代微电子封装。从20世纪50~60年代只三根引线TO(Transistor Outline)型金属一玻璃封接时代至7O年代开发的Dip(Double in—Line Package)型双列直插式时代,8O年代的QFP(Quad Flat package)四边引脚扁平封装时代,而90年代已是BGA(BaIl Grid Array)焊球陈列封接时代。未来的发展仍然高潮迭起,例如:CSP(Chip Package)芯片尺寸封接,MCM (Multichip)多芯片组件以及SOP(System on a package)系统级封接等都在不断和高速的开发、完善。

  • 2022-01-27
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