氮化镓半导体材料研究与应用现状
电力电子、新能源、电动汽车、5G通 讯、高 速 轨 道 列 车、能 源 互 联 网和智能工业等领域的兴起，对功率器件的性能提出了越来越高的要求。但传统硅（Si）器件已达到材料的物理极限，无法满足当前应用场景的需求。作为第 3代半导体材料的典型 代 表，氮 化 镓（GaN）在 1928年 由Johason等人首次成功制备，在一个大气压下，其晶体一般呈六方纤锌矿结构，其化学性质稳定，具有宽带隙（3.39eV ）、高击穿电压（3×106V/cm ）、高电子迁移率（25℃，1000cm2/V·s）、高异质结面电荷密度（1×1013cm-2）等诸多良好的电化学特性，相对于第 1代半导体材料Si和第2代半导体材料砷化镓（GaAs）器件而言，GaN器件可以在更高频率、更高功率、更高温度的情况下工作，因而被认为是制备高温、高频、大功率器件的首选材料之一。当前，Si基半导体产业正面临投资回报率递减，GaN凭借其优异性能，有望促进半导体行业新的增长。
- 2022-03-16
- 阅读37
- 下载0
- 9页
- docx
