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大尺寸单晶硅片加工技术简介

硅元素在地壳中的含量仅次于氢元素和氧元素,其主要以化合物的形式广泛存在于自然界中。在20世纪,人们发现硅的半导体性质后,硅材料即作为基础性材料被陆续用于晶体管和集成电路等半导体产业中。由于硅的储量丰富,价格低廉等特点,使其在半导体材料中居于极为重要的地位,并随着科技进步而蓬勃发展。

  • 2022-01-28
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半绝缘碳化硅单晶衬底的研究进展

半导体产业发展至今经历了三个阶段:第一代半导体材料以硅为代表,主要应用在以集成电路(IC)为核心的信息电子领域;第二代半导体材料以砷化镓等化合物半导体为代表,主要应用在光电子领域、通信领域;第三代半导体材料的兴起,则是以氮化镓(GaN)薄膜材料的 P 型掺杂的突破为起点,以高亮度蓝光发光二极管(LED)和蓝光激光器(LD)的研制成功为标志。

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碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势

碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性,传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术,本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状,分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理,指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。

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半导体衬底——化合物半导体材料

III-V 族化合物半导体材料中的磷化铟衬底、砷化镓衬底、锗衬底产品可用于生产射频器件、光模块、LED(Mini LED 及 Micro LED)、激光器、探测器、传感器、太空太阳能电池等器件,在 5G 通信、数据中心、新一代显示、人工智能、无人驾驶、可穿戴设备、航天等领域具有广阔的应用空间。

  • 2022-01-28
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关于SiC单晶衬底的加工技术现况及发展趋势

碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性,传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术,本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状,分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理,指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。

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碳化硅单晶衬底精密加工技术研究

SiC 作为第三代半导体材料的核心之一,是半导体界公认的“一种未来的材料”,是 21 世纪有广阔发展潜力的新型半导体材料 [1]。与 Si、GaAs相比,具有禁带宽、导热率高、电子饱和漂移速率大、化学稳定性好等优点,被用于制作高温、高频、抗辐射、大功率和高密度集成电子器件。利用其宽禁带的特性还可以制作蓝、绿光和紫外光的发光器件和光电探测器。本文简单介绍了 SiC 材料的结构和特性,以及其在半导体领域的应用,重点分析研究了 SiC单晶衬底精密加工技术,即减薄 - 研磨 - 抛光技术的方法、原理,以及加工工艺参数对衬底加工效率及表面质量的影响,对提高 SiC 单晶衬底加工工艺具有重要的指导意义。

  • 2022-01-28
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金刚石砂轮的现状与展望

 金刚石、CBN砂轮是超硬材料工具中最典型的一种工具,是以金刚石或CBN为磨料,借助于结合剂或其它辅助材料,在一定的生产条件下制成的具有一定形状、性能和用途的产品。金刚石、CBN砂轮按结合剂种类主要可分为金属结合剂、陶瓷结合剂、树脂结合剂。随着超硬材料工具技术的发展,其可加工的对象几乎囊括了所有的已知材料,大大提高了各种机械精密加工领域的加工效率、加工质量,尤其是作为高速、精密、数控、微细加工等先进制造技术的重要组成部分,其应用主要有两大领域:一是硬脆材料加工领域,主要指蓝宝石、单晶硅、多晶硅、磁性材料、碳化硅、耐火材料、玻璃、地质钻探等硬脆材料加工领域;二是各种机械精密加工领域,主要指电子、机械、汽车、新能源等精密加工领域。按其用途的不同,又可分为:金刚石磨削砂轮、金刚石锯切砂轮片、金刚石钻探刀头等几个大类。

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医用高分子材料产品加工技术与设备

是一种微细介入导管机头的双管挤出式结构,当物料进入人字形机头体后,在分流锥的作用下逐渐分成两股,分别进入单管流道并独立成型,一次可连续成型两根导管。图5所示一种共挤出机头结构,采用共挤出技术制造的多层管具有单层管所没有的物理性质。共挤出成形管的内壁或外壁通常具有一层或多层厚度为0.002 至0.005 英寸的涂层薄皮。薄皮能与较厚的(0.005 至0.100 英寸)主要内层或中间过渡层组合在一起。外皮能够避免功能层材料的损伤,或防止管件的内置物与使用者和/或其他内置物相互接触。

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