5G时代行业专网的发展

5G时代专网发展行业场景提出了需要可管可控、安全、业务自主性、满足特定的场景化覆盖等要求。通过对5G的技术性能的分析，发现支持专网多样化性能需求的技术实现已经逐渐成熟。随着技术的完善，其商用进程也已大大加快。国内三大运营商主导的组网模式各有侧重，分别给出了行业落地的可行性建议。分析了行业专网目前发展阶段性特点，从技术、商业、终端、标准、生态等方面寄予5G时代行业专网生态未来发展的美好期待。

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第三代半导体封装模组技术及应用介绍

第三代半导体具有很好的性能，它具有五高特性：高光效、高功率、高电压、高频率、高工作温度。由于它的禁带宽度比较宽，所以拥有了这些良好性能。这里做一个对比的话，硅的输出功率和工作频率相对较低，碳化硅的主要优势是输出功率很大，而氮化镓的主要的优势是在于工作频率很高，另外功率也比较高。第三代半导体的物理特性决定它的优良性能。

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5G候选波形的设计和评测

虽然第四代（4G）蜂窝系统 LTE/LTE-Advanced 还处在部署进程中，第五代（5G）系统的研发已经开始，5G 技术愿景是“随时随地万物接入”。5G 相比 4G 的一个显著优势是，5G 能够提供超快（接近 10 Gbps）、连贯和优异的连通性，时延很低（不超过几毫秒），可以支持新的用例和构成物联网（IoT）的数十亿个传感器。同样重要的是，5G 网络预计将会明显提高频谱效率和改善覆盖。

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C波段卫星信号抗5G干扰措施应用的新进展

随着5 G信号的正式商用，越来越多的城市开始大规模建设5 G基站，各大运营商也加紧布局各大城市中心城区的站点设置，未来5 G信号干扰C波段卫星信号接收的情况会越来越普遍。5 G信号频率占用了部分C波段频率范围。对高频头而言，C波段包括扩展C波段和标准C波段，下行频率分别为3 400 MHz～3 700 MHz和3 700 MHz～4 200 MHz，该波段信号较易受到同频信号的干扰。

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设计GaNPA及其他射频器件和系统

在本章，我们将介绍设计氮化镓（GaN）功率放大器（PA）以及其他 GaN 应用的一些技术，并描述 GaN 在许多射频（RF）前端中的应用。我们还将探讨技术领导者如何在分立式、单芯片微波集成电路（MMIC）以及高度集成模块中使用 GaN 技术，以满足许多应用领域需求。我们还将说明 GaN 热建模在应用中的一些重要方面和优势。

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5G对无线通讯芯片产业链的影响

在智能手机普及的带动下，2012-2017五年无线通信芯片实现9.7%的复合增长率，根据iHS的数据，2017年市场规模达到1,322亿美金，占全球半导体市场的31%。展望未来，随着手机出货量及硬件规格升级的放缓，预计行业总体增速下降至2.9%左右。但由于5G需要支持新的频段和通信制式，包括滤波器，功率放大器，开关等射频前端存在结构性增长机会。

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全面解读5G无线通信产业链及影响

（1）滤波器（Filter）（2）功率放大器（PA），（3）通信基带芯片（Baseband）等是主要受益器件。海外企业建议关注 Skyworks、Qorvo、Murata、Broadcom及代工厂商 TowerJazz、稳懋。国内公司建议关注拥有化合物半导体代工能力的三安光电，手机天线厂商信维通信，以及中国厂商在滤波器等器件上的突破

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5G微波性能估算及应用研究

微波是常见的无线传输技术，以其部署快捷、经济有效以及便捷灵活等特点被广泛应用于各类通信系统的中继和回传场景。为满足当前5G网络基站回传带宽需求，基于E-Band 5G微波应运而生，其能够在高频段提供更高的带宽。通过介绍E-Band微波特性，给出E-Band链路预算及容量估算方法，结合实际场景提出部署方案，推动5G网络建设发展。

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