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国产射频PA研究框架

PA是射频前端发射系统的重要部分，也是射频端最复杂的器件。功率放大器（Power Amplifier，PA）指在给定失真率的条件下，能产生最大功率输出以驱动某一负载的放大器。其应用于发射末级，可以将调制后的微弱的信号放大，使其获得足够大的功率，再送往天线发射。

  • 2022-05-07
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射频功率放大器线性化与数字预失真技术简介

射频拉远单元（RRU）是现代通信基站的重要组成部分。它主要承担着将数字基带单元（BBU）产生的低速数字基带信号转化成高速射频信号，同时通过功率放大器将模拟信号放大并传播到无线信道中。可以说射频单元直接决定了无线信号的传输质量，对整个通信系统的性能具有重大影响。然而，由于模拟器件特别是功率放大器的非理想特性，使得RU单元的输出信号不可避免的伴有失真。

  • 2022-05-07
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一文读懂射频功率放大器

射频功率放大器（RF PA）是发射系统中的主要部分，其重要性不言而喻。在发射机的前级电路中，调制振荡电路所产生的射频信号功率很小，需要经过一系列的放大（缓冲级、中间放大级、末级功率放大级）获得足够的射频功率以后，才能馈送到天线上辐射出去。为了获得足够大的射频输出功率，必须采用射频功率放大器。在调制器产生射频信号后，射频已调信号就由RFPA将它放大到足够功率，经匹配网络，再由天线发射出去。

  • 2022-05-07
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氮化镓功率器件在阵列雷达收发系统的应用研究

随着第三代半导体技术的迅速发展，氮化镓（GaN）功率器件迎来了快速发展期，从半导体器件的发展历程可以看到，半导体器件发展的几次飞跃都是与同时期的几种半导体材料的出现密切相关。首先，硅（Si）材料的发现使半导体在微电子领域的应用获得突破性进展，日用家电和计算机的广泛应用都应该归功于硅材料的出现。而后，砷化镓（GaAs）材料的研究使半导体的应用进入光电子学领域，利用砷化镓材料及与其类似的一些化合物半导体，如磷化铟（InP）等制造出的发光二极管和半导体激光器在光通信和光信息处理等领域起到了不可替代的作用，由此也带来了VCD 和多媒体等的飞速发展。这两代半导体器件在微波功率领域也占据着举足轻重的地位。

  • 2022-05-07
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射频氮化镓（GaN）技术正在走向主流应用

现在能够提供射频氮化镓器件的厂商主要有科锐、英飞凌、Macom、恩智浦、Qorvo和住友等厂商。（英飞凌在2016年7月已经宣布收购科锐的Wolfspeed部门，Wolfspeed提供碳化硅功率器件和碳化硅基氮化镓射频器件）。还有包括波音、Northrop Grumman和雷神等在内的军工厂商也在开发氮化镓和其他三五价技术。

  • 2022-05-07
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Si基GaN射频器件研究进展

本文主要调研了 近 年 来 国 内 外 关 于 Ｓｉ基 ＧａＮ 射频器件在材料、工 艺 与 电 路 上 的 研 究 进 展，剖析了相关技术难点与存在问题，并展望了 Ｓｉ基 ＧａＮ 射频器件未来的优化发展方向。此 外 还 基 于 射 频 损 耗 较 低 的高阻 Ｓｉ上 ＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴ 材 料，报 道 了 研 制 的０．２５μｍ 及０．４μｍ 工艺下的Ｓｉ基 ＧａＮ 射频器件，经测试在 Ｃ波段及 Ｘ 波段下工作性能优异，揭示了Ｓｉ基ＧａＮ 射频器件在５Ｇ 应 用 及 低 成 本 雷 达 等 领 域 的 独 特优势和应用前景。

  • 2022-05-07
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氮化镓（GaN）：5G时代提高射频前端和无线充电效率的新元素

5G的到来将会给半导体材料带来革命性的变化，无论是硅衬底还是碳化硅衬底，氮化镓（GaN）都将获得快速发展。从2G到5G，通信频率在不断地向高频发展，因此基站及通信设备对射频器件高频性能的要求也在不断提高。在此背景下，氮化镓（GaN）必将以其独特的高频特性、超高的功率密度，以及优越的集成度成为5G技术的核心器件。

  • 2022-05-06
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一篇文章了解射频氮化镓（GaN）技术应用现状

虽然氮化镓用到手机上还不现实，但业界还是要关 注射频氮化镓技术的发展。“与砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）等高频工艺相比，氮化镓器件输出的功率更大；与LDCMOS和碳化硅（SiC）等功率工艺相比，氮化镓的频率特性更好。” 分析机构Strategy Analytics的分析师Eric Higham说。

  • 2022-05-06
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