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氮化镓功率器件在阵列雷达收发系统的应用研究

随着第三代半导体技术的迅速发展，氮化镓（GaN）功率器件迎来了快速发展期，从半导体器件的发展历程可以看到，半导体器件发展的几次飞跃都是与同时期的几种半导体材料的出现密切相关。首先，硅（Si）材料的发现使半导体在微电子领域的应用获得突破性进展，日用家电和计算机的广泛应用都应该归功于硅材料的出现。而后，砷化镓（GaAs）材料的研究使半导体的应用进入光电子学领域，利用砷化镓材料及与其类似的一些化合物半导体，如磷化铟（InP）等制造出的发光二极管和半导体激光器在光通信和光信息处理等领域起到了不可替代的作用，由此也带来了VCD 和多媒体等的飞速发展。这两代半导体器件在微波功率领域也占据着举足轻重的地位。

  • 2022-05-07
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射频氮化镓（GaN）技术正在走向主流应用

现在能够提供射频氮化镓器件的厂商主要有科锐、英飞凌、Macom、恩智浦、Qorvo和住友等厂商。（英飞凌在2016年7月已经宣布收购科锐的Wolfspeed部门，Wolfspeed提供碳化硅功率器件和碳化硅基氮化镓射频器件）。还有包括波音、Northrop Grumman和雷神等在内的军工厂商也在开发氮化镓和其他三五价技术。

  • 2022-05-07
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Si基GaN射频器件研究进展

本文主要调研了 近 年 来 国 内 外 关 于 Ｓｉ基 ＧａＮ 射频器件在材料、工 艺 与 电 路 上 的 研 究 进 展，剖析了相关技术难点与存在问题，并展望了 Ｓｉ基 ＧａＮ 射频器件未来的优化发展方向。此 外 还 基 于 射 频 损 耗 较 低 的高阻 Ｓｉ上 ＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴ 材 料，报 道 了 研 制 的０．２５μｍ 及０．４μｍ 工艺下的Ｓｉ基 ＧａＮ 射频器件，经测试在 Ｃ波段及 Ｘ 波段下工作性能优异，揭示了Ｓｉ基ＧａＮ 射频器件在５Ｇ 应 用 及 低 成 本 雷 达 等 领 域 的 独 特优势和应用前景。

  • 2022-05-07
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氮化镓（GaN）：5G时代提高射频前端和无线充电效率的新元素

5G的到来将会给半导体材料带来革命性的变化，无论是硅衬底还是碳化硅衬底，氮化镓（GaN）都将获得快速发展。从2G到5G，通信频率在不断地向高频发展，因此基站及通信设备对射频器件高频性能的要求也在不断提高。在此背景下，氮化镓（GaN）必将以其独特的高频特性、超高的功率密度，以及优越的集成度成为5G技术的核心器件。

  • 2022-05-06
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一篇文章了解射频氮化镓（GaN）技术应用现状

虽然氮化镓用到手机上还不现实，但业界还是要关 注射频氮化镓技术的发展。“与砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）等高频工艺相比，氮化镓器件输出的功率更大；与LDCMOS和碳化硅（SiC）等功率工艺相比，氮化镓的频率特性更好。” 分析机构Strategy Analytics的分析师Eric Higham说。

  • 2022-05-06
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高效线性氮化镓射频功放芯片模组研究

设计了一款基于相位失配的高线性度Doherty功率放大器（DPA），通过调节输出和输入相位失配网络，改善DPA的幅度-相位（AM-PM）特性并兼顾回退和饱和性能，并基于0.25 μm GaN HEMT工艺，设计了一款全集成DPA来验证上述方法。实测结果显示，在6.3 GHz处， AM-PM＜2°，AM-AM＜0.3 dB，饱和功率为41.1 dBm，6 dB回退漏极效率为45%，使用峰均比（PAPR）为7.8 dB的100 MHz调制信号，在33 dBm处，邻信道功率泄漏比（ACPR）＜-43.6 dBc。

  • 2022-05-06
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宁德时代智能工厂实践与创新

锂电池生产是典型的离散型制造业。正因如此，锂电池企业面临着诸多问题。为满足生产制造能力和可持续发展需要，宁德时代在智能工厂的建设上不断实践与创新，为智能制造提供了一个成功模板。通过实施智能工厂战略，宁德时代也完成了智能制造三个阶段的升级跃迁。

  • 2022-05-06
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成都工业领域落实能耗双控制度的思考

2021年9月，国家发展改革委发布《完善能源消费强度和总量双控制度方案》，为能源清洁低碳安全高效利用作出制度安排。四川省委十一届十次全会提出“以实现碳达峰碳中和目标为引领、推动绿色低碳优势产业高质量发展”，从做“加法”的角度明确了培育发展新动能的基本思路。从做“减法”的角度看，能耗双控制度是实现“双碳”目标的重要抓手，有利于协同推进节能减排、减污降碳，倒逼产业结构、能源结构调整。工业是产生碳排放的主要领域之一，应当加强产业布局、结构调整与能耗双控的衔接，加快工业绿色低碳转型和高质量发展。

  • 2022-05-06
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