晶闸管的栅极象闸门一样能够控制大电流的流通，因此被称为闸流管。是一种应用广泛的半导体功率开关器件。可用作可控整流，交流调压，无触点开关（继电器）以及大功率变频和调速系统中的重要器件。与大功率三极管相比，具有效率高，电流容量大，使用方便而又经济等优点。
因基区的空穴是电源VBB提供，故IBN是基极电流IB的主要成分。3: 集电极收集电子的情况： 由于集电结反向电压,从发射区向基区注入的电子成为集电极电流IC的主要成分.
三极管各电极中的电流：1. 发射区向基区注入电子: 发射区正偏,发射区的自由电子不断地扩散到基区,并不断从电源补充进电子,形成发射极电流. 2: 电子注入基区后: 由于基区很薄,从发射区向基区注入的电子在向集电结扩散的过程中,只有少量与基区中的多子（空穴）相复合.与空穴复合的电子流记作IBN。
铝电解电容CD型：两电极是不同材料制成。用铝箔作正极，电解质作负极。介质AL2O3膜是在正极铝箔表面上生成的。单位体积电容量特大，单位容量价格最低，重量最轻。
瓷介电容CC型： 体积小，耐热性好，且能耐酸，碱，盐类的侵蚀。损耗小，绝缘电阻高，稳定性高。容量较小。常用于要求低损耗和容量稳定的高频电路中，或做温度补偿之用。
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