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GaN功率器件片内微流热管理技术研究进展

GaN 器件大功率?高集成度的发展受限于热积累效应引起器件结温升高问题, 严重导致器件性能和寿命衰减,使 GaN 器件的高功率性能优势远未得到发挥, 片内微流热管理技术是解决热瓶颈的重要途径?针对上述问题, 详细论述了GaN 器件热瓶颈的基础问题和片内微流热管理的重要性,并对近年来国际正在开展的片内微流散热技术研究情况进行系统分析和评述,揭示了微流体与 GaN 器件片内近结集成的各类设计方法?工艺开发途径和面临的技术难点,阐述了 GaN 器件片内微流热管理技术的现状和发展方向?

  • 2022-01-27
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功率半导体的器件类型、应用市场、行业格局

功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心,是电子产品的基础元器件之一,在产业电子化升级过程中,越来越得到重视与应用。 本篇报告将详细介绍功率半导体的器件类型、应用市场、行业格局以及 SiC、GaN 的发展情况,挖掘功率半导体潜在的投资机会。

  • 2022-01-27
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高功率微波射频器件的未来——金刚石基GaN功率器件与散热方案

GaN具有禁带宽度大(室温下为3.39eV)?击穿电场强度高(3.3MV/cm)?饱和电子速度大(2.5×107cm/s)?热导率高(1.5W·cm-1·K-1)、抗辐射能力强以及易于形成异质结构等优异性能等特点,非常适于研制高频?大功率微波?毫米波器件和电路,在 5G 通讯、航天、国防等领域具有极高的应用价值。

  • 2022-01-27
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III-V族硼基化合物半导体反常热导率的机理

过去半个多世纪在摩尔定律驱动下晶体管的尺寸不断缩小,集成电路已经接近物理极限,对材料的热耗散能力提出了更高要求,揭示半导体热传导的物理机制对器件的热管理具有重要指导意义。实验上发现砷化硼拥有与金刚石相比拟的极高热导率,而且砷化硼具有与硅接近的晶格常数,可以异质集成在硅上来解决热管理问题。

  • 2022-01-27
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微热通道电极结构宽条形半导体激光器输出特性

为了抑制宽条形半导体激光器的热透镜效应,提高慢轴光束质量,本文提出并制作了一种微热通道电极结构激光器?该芯片p面注入区电极处被设计为较厚的高热导率的电极结构,封装后激光器两侧与热沉之间形成空气间隙,抑制激光器有源区横向热流,使激光器内温度分布均匀,有效地降低慢轴发散角?对该激光器的封装模型进行了稳态热分析,优化了微热通道电极结构的厚度和宽度,并制作了波长为940nm的微热通道电极结构激光器?测试结果表明,在注入电流为2A时,微热通道电极结构激光器的发散角相对于普通电极结构激光器降低了24%,有效地降低了激光器慢轴光束发散角?

  • 2022-01-27
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金刚石膜功能应用的奇异性

薄膜材料是典型的二维材料,即在两个尺度上较大,而在第三个尺度上很小。与一般常用的三维块体材料相比,在性能和结构上具有很多特点。最大的特点是功能膜的某些性能可以在制备时通过特殊的薄膜制备方法实现。这是薄膜功能材料成为人们关注和研究的热点材料的原因。

  • 2022-01-27
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CVD金刚石表面增透膜的研究进展

CVD 金刚石膜因特有的物理化学性质,具有发展成为新一代光学材料的前景。但由于 CVD 金刚石膜自身局限性导致其理论透过率不到 71%,在金刚石膜表面镀制增透膜,通过改变增透膜组成成分、显微组织和晶体结构,可有效地改善 CVD 金刚石膜自身理论透过率的问题。首先,介绍了 CVD 金刚石表面镀制单层增透膜增透原理,并总结了物理和化学气相沉积技术制备增透膜的优缺点。然后,重点综述了近年来 CVD 金刚石表面氮化物、金属氧化物和稀土金属氧化物等增透膜材料的研究进展,详细分析了增透膜制备参数、热处理工艺、衬底表面改性和掺杂工艺对增透膜整体组织和性能影响的规律。其中优化增透膜沉积温度、氧分压和热处理等工艺参数,是通过改变增透膜微观组织形貌以及晶体结构来提高其光学透过性能,而改变衬底表面结构能够通过改变增透膜与基体之间的成键方式来提升界面结合能力,而稀土元素掺杂方式是通过改变增透膜化学组成成分来改善增透膜的光学透过性能,并指出掺杂元素成型机理和影响机制。最后,展望了未来 CVD 金刚石表面增透膜的发展方向。

  • 2022-01-27
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金刚石/Cu材料在快启动红外探测器中应用的可行性分析

针对当前制冷型红外焦平面阵列(InfraredFocalPlaneArray,IRFPA)探测器对制冷启动时间(快速启动)的要求,对影响探测器启动时间的具体因素进行了分析?结果表明,冷台零件的降温速度对探测器的启动时间有一定程度的影响?对当前国内导热材料进行了调研,找到了一种与红外探测器混成芯片相匹配的材料,并对该材料的初步工艺进行了验证。

  • 2022-01-27
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