Si基GaN射频器件研究进展
本文主要调研了 近 年 来 国 内 外 关 于 Ｓｉ基 ＧａＮ 射频器件在材料、工 艺 与 电 路 上 的 研 究 进 展，剖析了相关技术难点与存在问题，并展望了 Ｓｉ基 ＧａＮ 射频器件未来的优化发展方向。此 外 还 基 于 射 频 损 耗 较 低 的高阻 Ｓｉ上 ＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴ 材 料，报 道 了 研 制 的０．２５μｍ 及０．４μｍ 工艺下的Ｓｉ基 ＧａＮ 射频器件，经测试在 Ｃ波段及 Ｘ 波段下工作性能优异，揭示了Ｓｉ基ＧａＮ 射频器件在５Ｇ 应 用 及 低 成 本 雷 达 等 领 域 的 独 特优势和应用前景。
- 2022-05-07
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