供屏蔽用的金属外壳也有电极，用字母D表示；大功率管的集电极通常与金属外壳相连。两种不同的三极管的区别仅在于基极与发射极箭头的方向。箭头方向表示发射结正向偏置时的电流方向。以此判断NPN或PNP型。
三极管各电极中的电流：1. 发射区向基区注入电子: 发射区正偏,发射区的自由电子不断地扩散到基区,并不断从电源补充进电子,形成发射极电流. 2: 电子注入基区后: 由于基区很薄,从发射区向基区注入的电子在向集电结扩散的过程中,只有少量与基区中的多子（空穴）相复合.与空穴复合的电子流记作IBN。
因基区的空穴是电源VBB提供，故IBN是基极电流IB的主要成分。3: 集电极收集电子的情况： 由于集电结反向电压,从发射区向基区注入的电子成为集电极电流IC的主要成分.
三极管的工作有赖于两种载流子---电子和空穴,因此又称为双极型晶体三极管（BJT: Bipolar Junotion Type Transistor）.IC=?IB 利用基极回路的小电流IB,实现对集电极,发射极回路的大电流IC（IE）控制,这就是三极管以弱控制强的电流放大作用.由于三极管有三个电极,必然有一个极为输入与输出的公共端.共哪个极就是哪个极为输入与输出的公共端.
晶闸管的栅极象闸门一样能够控制大电流的流通，因此被称为闸流管。是一种应用广泛的半导体功率开关器件。可用作可控整流，交流调压，无触点开关（继电器）以及大功率变频和调速系统中的重要器件。与大功率三极管相比，具有效率高，电流容量大，使用方便而又经济等优点。
晶闸管导通后，控制极就失去作用。要使其关断，必须把正向阳极电压降到一定的数值（或者在晶闸管阳，阴极间施加反向电压）使流过晶闸的电流小于维持电流。 单向半波可控硅；单向桥式可控硅
国际上形成主流的集成数字逻辑电路：7个TTL系列；5个CMOS系列。标准TTL电路（STDTTL）；高速TTL（HTTL）；低功耗TTL（LTTL）；肖特基TTL（STTL）；低功耗肖待基TTL（LSTTL）；先进肖特基TTL（ASTTL），先进低功耗肖特基TTL（ALSTTL）；仙童（快捷）；先进肖特基TTL（FAST），CMOS 4000系列电路；高速CMOS电路（HC或HCT）；先进CMOS逻辑
发光二极管（LED:Light Emitting Diode）: 工作于正向偏置.自由电子和空穴相遇因复合而消失也会放出能量. 用特殊的半导体材料,砷化镓为红光；磷化镓为绿光.当工作电流为10MA~30MA左右时,正向电压降大约为1.5~3V.
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国内重点工业物联网平台四类厂商分类及选型指南
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我们的情景分析显示，由于资金流入强劲、投资回报改善以及港府出台旨在吸引富裕移民和家族办公室的政策措施，到2031年香港私人银行及私人财富管理业务的资产管理规模(AUM)有望增长近一倍，达到2.6万亿美元。2024年，香港私人银行及私人财富管理业务的资产管理规模增长了15%，增速高于2024年10月我们首份专题报告中给出的10%年复合增长率(CAGR)。目前，我们仍预计2025-2031年的CAGR为10%。在主要行业参与者中，随着近期招聘企稳，瑞银的亚洲财富管理市场份额有望回升，而汇丰、渣打和星展的客户资金流入料将保持强劲，尤其是内地客户的资金流入。
最初以创新竞赛为起点的竞争，已经演变为AI基础设施的竞赛--各国经济正竟争加强控制、确保AI竟争力并决定谁制定规则、谁捕获价值、谁维持长期优势。虽然数据中心继续吸引着AI投资的重要份额，但许多经济体正面临一个更根本的问题:如何在加速的竞赛中有意义地参与。与此同时，等待清晰并非选项。不采取行动的风险在于加剧市场间AI和经济差距。在这个关键节点，经济体必须重新思考其对AI主权的策略，并确定如何明智地投资。
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