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同步整流器两种驱动方式的分析和比较

目前 ,微处理器等很多高速数字逻辑电路都需 要低电压大电流功率变换器。随着功率变换器输出 电压的降低 ,整流损耗成为变换器的主要损耗。为 使变换器效率达到 90 %以上 ,必须降低整流损耗。 采用低导通电阻的 MOSFET 进行整流 ,是提高变 换器效率的一种有效途径。根

  • 2022-01-24
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印制线路板的散热设计

PWB 是指在绝缘基材上形成的导电图形,其作用是安装电子元件,使元件的端子之间连接起来形成电 路。随着电子设备向轻薄短小化发展,PWB 装载元件密度提高,使 PWB 上热量高度聚集。如果 PWB 散 热设计不良,会使电子元件焊接部位的焊锡熔化,塑料外壳和 PWB 基材燃烧。为了保证电子设备的性能 长期稳定,要求不断提高 PWB 的散热性,同时采用适当的技术降低高发热元件的温度。

  • 2022-01-24
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肖特基二极管

肖特基势垒二极管SBD(SchottkyBarrierDiode,简称肖特基二极管)是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。

  • 2022-01-24
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电磁干扰抑制技术概述EMI

在产品表面直接标出,标称阻值用阿拉伯数字,单位用文字符号,允许偏差用百分数表示。33K 5欧。文字符号法:将标称阻值及允许偏差用文字和数字两者的有规律组合来表示。3R3,2K2。

  • 2022-01-24
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关于绿色电子产品常识10个问答

欧盟议会和欧盟理事会于 2003 年 1 月通过了 RoHS 指令(中文版),全称是 The Restriction of the use of certain Hazardous substances in ElectricalandElectronic Equipment,即在电子电气设备中限制使用某些有害 物质指令,也称 2002/95/EC 指令,2005 年欧盟又以 2005/618/EC 决议的形式对 2002/95/EC 进行了补充, 明确规定了六种有害物质的最大限量值。

  • 2022-01-24
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MOS管器件击穿机理分析

金属化聚丙烯薄膜电容器:气侯类别。额定电压。电容量范围。容量允许偏差。损耗角正切值。耐电压,耐涌流。阻燃特性。.

  • 2022-01-24
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直流电源EMI滤波器的设计原则、网络结构、参数选择

电感量及其精度; 品质因数:线圈中储存能量与消耗能量的比值称为品质因数; 分布电容:线圈圈匝与圈匝之间,线圈与底座之间均存在分布电容; 稳定性: 电感量随温度,湿度等变化的程度。

  • 2022-01-24
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变压器构造

利用击穿时通过管子的电流在很大范围内变化,而管子的电压变化很小的特性。实现稳压。硅稳压管实质就是工作在反向击穿状态下的硅二极管。主要参数:稳压电压,稳压电流,最大稳压电流,一般外电路串接一个限流电阻,需要稳压的负载并连在稳压管两端。

  • 2022-01-24
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