肖特基二极管

肖特基势垒二极管SBD（SchottkyBarrierDiode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。

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电磁干扰抑制技术概述EMI

在产品表面直接标出，标称阻值用阿拉伯数字，单位用文字符号，允许偏差用百分数表示。33K 5欧。文字符号法：将标称阻值及允许偏差用文字和数字两者的有规律组合来表示。3R3，2K2。

2022-01-24
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关于绿色电子产品常识10个问答

欧盟议会和欧盟理事会于 2003 年 1 月通过了 RoHS 指令（中文版），全称是 The Restriction of the use of certain Hazardous substances in ElectricalandElectronic Equipment,即在电子电气设备中限制使用某些有害物质指令，也称 2002/95/EC 指令，2005 年欧盟又以 2005/618/EC 决议的形式对 2002/95/EC 进行了补充，明确规定了六种有害物质的最大限量值。

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MOS管器件击穿机理分析

金属化聚丙烯薄膜电容器：气侯类别。额定电压。电容量范围。容量允许偏差。损耗角正切值。耐电压，耐涌流。阻燃特性。.

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直流电源EMI滤波器的设计原则、网络结构、参数选择

电感量及其精度；品质因数：线圈中储存能量与消耗能量的比值称为品质因数；分布电容：线圈圈匝与圈匝之间，线圈与底座之间均存在分布电容；稳定性：电感量随温度，湿度等变化的程度。

2022-01-24
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变压器构造

利用击穿时通过管子的电流在很大范围内变化，而管子的电压变化很小的特性。实现稳压。硅稳压管实质就是工作在反向击穿状态下的硅二极管。主要参数：稳压电压，稳压电流，最大稳压电流，一般外电路串接一个限流电阻，需要稳压的负载并连在稳压管两端。

2022-01-24
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通信开关电源的EMI／EMC设计

晶闸管的栅极象闸门一样能够控制大电流的流通，因此被称为闸流管。是一种应用广泛的半导体功率开关器件。可用作可控整流，交流调压，无触点开关（继电器）以及大功率变频和调速系统中的重要器件。与大功率三极管相比，具有效率高，电流容量大，使用方便而又经济等优点。

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电磁兼容性（EMC）保护措施

理想的电子产品应该能够抵御任何外部的电磁干扰。采取线性滤波、合理的线路板布局、正确的电源设计和屏蔽措施可以有效地减少有源干扰。电磁干扰主要来自电源或由容性、磁性、电磁元件通过空气辐射传播，本文主要讨论如何保护设备不因外界有害电压或电流的冲击而损坏。

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