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单晶碳化硅晶片高效超精密抛光工艺

目前,国内外学者研究了许多碳化硅衬底平坦化技术,如机械研磨[1-2]、磁流变抛光[3]、离子束抛光[4-5]、化学机械抛光[6-7] 等. 为了获得一定的形状,一般采用数控研抛技术对碳化硅反射镜进行研磨,其材料去除机理为机械破碎去除,会对工件造成一定的微损伤[1-2]. 王芳杰等[3]进行 6H-SiC 单晶片的磁流变抛光工艺实验,最终获得的加工表面粗糙度 Ra 为 0. 5 nm,亚表面破坏层深度为 1. 5 nm. Deng 等[4-5]提出等离子体辅助抛光单晶碳化硅的方法,借助大气压下水蒸气等离子体辐射进行表面改性并使用 CeO2磨料抛光,获得无损伤和原子级平坦化的碳化硅表面,但抛光前需要对表面进行适当的改性处理. Chen 等[6]采用硅溶胶对机械研磨后的碳化硅衬底进行化学机械抛光,获得表面粗糙度 RMS0.096 nm 的超光滑表面.

  • 2022-01-28
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医用高分子材料产品加工技术与设备

是一种微细介入导管机头的双管挤出式结构,当物料进入人字形机头体后,在分流锥的作用下逐渐分成两股,分别进入单管流道并独立成型,一次可连续成型两根导管。图5所示一种共挤出机头结构,采用共挤出技术制造的多层管具有单层管所没有的物理性质。共挤出成形管的内壁或外壁通常具有一层或多层厚度为0.002 至0.005 英寸的涂层薄皮。薄皮能与较厚的(0.005 至0.100 英寸)主要内层或中间过渡层组合在一起。外皮能够避免功能层材料的损伤,或防止管件的内置物与使用者和/或其他内置物相互接触。

  • 2022-01-28
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超精密加工机床系统研究与未来发展

现代超精密加工机床与系统已应用到当代多个高端技术领域,在推动科技进步方面发挥着重大作用。总体上,我国该项技术与国际先进水平还有较大差距。瞄准未来发展方向,抓住主要矛盾,突破关键技术,适应发展需求,对推动我国科技进步,加强国防建设具有重大意义。

  • 2022-01-28
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济南大学_抢车位

智能停车场,立体停车场认准,设备先进,设计规划,经久耐用,集设计,销售为一体的停车方案供应商,质量保证,认准大象立体停车设备

  • 2022-01-28
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从磨削到精加工:增材制造的后处理解决方案

增材制造在航空航天和医疗市场的广泛使用促使人们不断提高对精加工增材部件表面的要求,以满足最终应用需求。增材制造工艺能够生产出接近最终形状的组件,显著降低了最终精加工的需求。通过增材制造,可以降低材料浪费率,有利于整体制造工艺,但是这也意味着后续的精加工过程对后处理技术和一致性的要求越发严苛。

  • 2022-01-28
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氢安全研究现状及面临的挑战

氢安全研究现状及面临的挑战.pdf氢安全研究现状及面临的挑战.pdf

  • 2022-01-28
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我国制氢技术专利发展与工艺路线研究

我国制氢技术专利发展与工艺路线研究.pdf我国制氢技术专利发展与工艺路线研究.pdf

  • 2022-01-28
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基于聚酰亚胺的高导热石墨膜材料的研究进展

近年来,随着电子设备的小型化、轻量化,高导热石墨膜材料受到广泛关注。本文综述了聚酰亚胺(PI)基石墨膜材料的制备,详细介绍了石墨膜性能的影响因素,主要涉及分子结构、分子取向和其他材料的诱导作用等,简述了石墨膜复合材料的研究和专利近况,并对未来石墨膜材料的研究方向提出了建议与展望。

  • 2022-01-27
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时序大模型是面向时间序列数据的基础大模型,以 Transformer 等架构为核心,通过在海量多领域时序数据上进行预训练,学习时间维度上的通用模式、周期规律与长距离依赖关系。区别于传统时序模型针对单一任务单独训练,时序大模型具备强大的迁移能力,只需少量样本微调或零样本提示,即可适配时序预测、异常检测、缺失值补全、时序分类等下游任务。在工业场景中,它能够直接处理传感器、设备测点产生的海量时序信号,挖掘设备状态演变规律,支撑设备故障预警、工况识别与生产趋势预判,为工业智能落地提供底层模型能力。如:中服云的CServerAIR

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