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超快激光纳米线连接技术研究进展

随着新型材料特别是纳米材料在柔性多功能微纳光电子器件中的广泛应用，实现低维度下高质量材料互连成为了微纳器件高性能制造的关键？针对纳米材料自身的尺度及结构限制，传统宏观？微观尺度下的材料互连技术将难以实现在微纳空间上对输入能量的高精度控制，进而难以降低连接过程中的材料损伤？

  • 2022-01-27
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高功率半导体激光器散热方法综述

散热管理是保障半导体激光器功率稳定性的关键因素。因此，了解半导体激光器的传热过程并解决其散热问题，是 实现半导体激光器工程化应用的重要环节。对半导体激光器散热管理方式的工作原理和典型散热方法进行了综述，期望为从事 高功率半导体激光研究的人员提供技术参考。

  • 2022-01-27
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基于碳化硅衬底的宽禁带半导体外延

宽禁带半导体具备禁带宽度大、电子饱和飘移速度高、击穿场强大等优势，是制备高功率密度、高频率、低损耗电子器件的理想材料。碳化硅（SiC）材料具有热导率高、化学稳定性好、耐高温等优点，在 SiC 衬底上外延宽禁带半导体材料，对充分发挥宽禁带半导体材料的优势，并提升宽禁带半导体电子器件的性能具有重要意义。得益于 SiC 衬底质量持续提升及成本不断降低，基于 SiC 衬底的宽禁带半导体电子市场呈现逐年增加的态势。在 SiC 衬底上外延生长高质量的宽禁带半导体材料是提高宽禁带半导体电子器件性能及可靠性的关键瓶颈。本文综述了近年来国内外研究者们在 SiC 衬底上外延 SiC、氮化镓（GaN）、氧化镓（Ga2O3）所取得的研究 进展，并展望了 SiC 衬底上宽禁带半导体外延的发展及应用前景。

  • 2022-01-27
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高导热TIM材料---石墨烯膜均热材料

5G时代巨大数据流量对于通讯终端的芯片、天线等部件提出了更高的要求，器件功耗大幅提升的同时，引起了这些部位发热量的急剧增加。据了解，石墨烯导热膜作为“新材料之王”，其理论导热系数可达5000W/（m.k）,相较于传统导热材料，具有更加突出的散热性能，是当前已知的导热性能最优的材料之一。石墨烯导热膜在散热领域隐藏着巨大的市场潜力。目前主要用于智能高端电子产品。特别是进入到5G时代以来，手机对散热提出了更高的要求，而现有散热工艺已经无法满足。由于石墨烯导热膜优异的导热性能，在5G基站、超级计算机等国家重大科技工程的实施中也将发挥巨大作用。

  • 2022-01-27
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半导体金刚石材料的基本性质与特点

金刚石为人类所发现已有两千多年的历史。一直以来，它的价值主要体现于绚丽夺目、熠熠生辉的色彩和坚硬无比的力学性质。自20世纪五六十年代高压高温和CVD金刚石制备技术相继问世，并在20世纪80年代获得快速发展以来，探索金刚石材料的半导体特性才成为可能。特别是p型金刚石生长技术取得了较大进展，有力地推动了半导体金刚石材料制备技术的进一步发展，并使金刚石成为最有前景的半导体材料之一。

  • 2022-01-27
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大功率半导体激光器发展及相关技术概述

激光被称为“最快的刀”？“最准的尺”？“最亮的光”，与原子能？计算机？半导体并称为20世纪新四大发明？大功率半导体激光器在工业加工？医疗美容？光纤通信？无人驾驶？智能机器人等方面有着广泛的应用？如何实现大功率半导体激光光源，一直以来都是国际的研究前沿和学科热点？为此，简述了大功率半导体激光器的发展历史，综述了大功率半导体激光器的共用技术，包括大功率芯片技术和大功率合束技术，并对大功率半导体激光的发展方向进行了展望？

  • 2022-01-27
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超高导热金刚石铜复合材料在GaN器件中的应用

金刚石铜具有高导热率和低膨胀系数，可用于大功率芯片的散热热沉。未做处理的金刚石表面非常光滑，不易附着其他金属，由于金刚石性质非常稳定，不容易被强酸和强碱进行表面处理。采用JG-01金刚石铜粗化处理液对金刚石进行粗化处理，而对铜无损伤，提升了金刚石表面结合力。金刚石铜镀层对金锡（AuSn）和锡铅（PbSn）焊料的润湿性满足GJB548B-2005要求。GaN功率放大器芯片采用金刚石铜热沉比铜钼铜热沉结温可以降低12℃。金刚石铜载板镀层润湿性良好，焊接后芯片底部的空洞率不大于3%，热沉焊接后空洞率不大于5%，满足高功率芯片散热要求。按照产品环境适应要求，对GaN功率放大器做了高低温冲击和机械振动两种环境筛选实验，最终满足可靠性考核要求。

  • 2022-01-27
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金刚石在5G时代创新应用

《产业结构调整指导目录（2019年本，征求意见稿）》于今年4月上旬到5月上旬，通过网络公开征求了社会公众意见，在征求意见稿中，鼓励类产业并无相关超硬材料、磨料磨具产业。在行业与社会各界人士的共同努力争取下，功能性人造金刚石材料、精密研磨及抛光用陶瓷材料、高档数控机床配套的磨料磨具产业最终被采纳吸收列入目录2019鼓励类。

  • 2022-01-27
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