发光二极管（LED:Light Emitting Diode）: 工作于正向偏置.自由电子和空穴相遇因复合而消失也会放出能量. 用特殊的半导体材料,砷化镓为红光；磷化镓为绿光.当工作电流为10MA~30MA左右时,正向电压降大约为1.5~3V. 反向击穿电压约为5V.
为实现电流放大作用，必须具备一定的外部条件：发射结加正压；集电结加反压。 三极管内部结构为两个PN结，根据三层半导体区排列方式不同，分为PNP型与NPN型两种。基极（B：Base ）；发射极（E：Emitter ）；集电极（C：Collector）；
供屏蔽用的金属外壳也有电极，用字母D表示；大功率管的集电极通常与金属外壳相连。两种不同的三极管的区别仅在于基极与发射极箭头的方向。箭头方向表示发射结正向偏置时的电流方向。以此判断NPN或PNP型。
三极管各电极中的电流：1. 发射区向基区注入电子: 发射区正偏,发射区的自由电子不断地扩散到基区,并不断从电源补充进电子,形成发射极电流. 2: 电子注入基区后: 由于基区很薄,从发射区向基区注入的电子在向集电结扩散的过程中,只有少量与基区中的多子（空穴）相复合.与空穴复合的电子流记作IBN。
因基区的空穴是电源VBB提供，故IBN是基极电流IB的主要成分。3: 集电极收集电子的情况： 由于集电结反向电压,从发射区向基区注入的电子成为集电极电流IC的主要成分.
三极管的工作有赖于两种载流子---电子和空穴,因此又称为双极型晶体三极管（BJT: Bipolar Junotion Type Transistor）.IC=?IB 利用基极回路的小电流IB,实现对集电极,发射极回路的大电流IC（IE）控制,这就是三极管以弱控制强的电流放大作用.由于三极管有三个电极,必然有一个极为输入与输出的公共端.共哪个极就是哪个极为输入与输出的公共端.
场效应管（FET：Field Effect Transistor）电一种电压控制型半导体器件。突出特点是输入电阻非常高，能满足高内阻的信号源对放大器要求，因此，它是较理想的前置输入级器件。功耗低，制造工艺简单，噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强。
晶闸管的栅极象闸门一样能够控制大电流的流通，因此被称为闸流管。是一种应用广泛的半导体功率开关器件。可用作可控整流，交流调压，无触点开关（继电器）以及大功率变频和调速系统中的重要器件。与大功率三极管相比，具有效率高，电流容量大，使用方便而又经济等优点。
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PID是比例(Proportional)、积分(Integral)、微分(Differential)的缩写PID是一种闭环控制算法，它动态改变施加到被控对象的输出值(Out)，使得被控对象某一物理量的实际值(Actual)，能够快速、准确、稳定地跟踪到指定的目标值(Target)PID是一种基于误差(Error)调控的算法，其中规定:误差=目标值-实际值PID的任务是使误差始终为0PID对被控对象模型要求低，无需建模，即使被控对象内部运作规律不明确PID也能进行调控
紧接上文，我们讲的是连续形式的PID公式，但连续形式的PID需要用模拟电路来实现，对于单片机而言，我们需要离散形式的PID，本节我们就来看看离散型PID的具体实现：
卡尔曼滤波我计划分为两部分，卡尔曼滤波（一）基础篇；算法篇——卡尔曼滤波（二）进阶，算法篇——卡尔曼滤波（三）实战
算法篇——常用的十大滤波算法
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