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13. 功率变换器中的磁性元件设计(1)

涤纶电容CL:体积小,容量大,耐热耐湿性好。价格低,稳定性差。适用于对频率和稳定性要求不高的电路。 聚丙烯电容CB:介质损耗小,绝缘电阻大.电容稳定性好.缺点是耐热性差.

  • 2022-01-24
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关电源中斜坡补偿电路的分析与设计[1]

由于介质AL2O3和电解质交界处具有单向导电性,所以有极性。其缺点是容量误差大,损耗大,漏电流大,时间稳定性差,容量损耗的温度频率特性差。它适用于直流或脉动电路中作整流,滤波和音频旁路。

  • 2022-01-24
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反激式变换器中RCD箝位电路的设计

变容二极管:是利用PN结的电容效应而工作的。容值大小不是恒定值,它与PN结的反偏电压大小有关,升高时,电容减小,常用于调谐电容使用。

  • 2022-01-24
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开关稳压电源设计制作中PCB设计规范技术总结

光电二极管(光敏二极管)外界能量的(光,热)激发产生电子空穴对.:反偏状态。由光照射产生光生载流子。通过回路的外接电阻可获得电流,从而实现光电转换或光电控制。

  • 2022-01-24
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小信号电路

光子的能量与光波的频率有关,称为光谱响应特性。硅光电二极管对波长0.8~0.9UM的红外光最为敏感; 锗光电二极管对1.4~1.5UM的远红外光最为敏感.

  • 2022-01-24
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并联MOSFET的雪崩特性分析

发光二极管(LED:Light Emitting Diode): 工作于正向偏置.自由电子和空穴相遇因复合而消失也会放出能量. 用特殊的半导体材料,砷化镓为红光;磷化镓为绿光.当工作电流为10MA~30MA左右时,正向电压降大约为1.5~3V. 反向击穿电压约为5V.

  • 2022-01-24
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OM-0010 CHROMA自動測試系統操作手冊V15

场效应管(FET:Field Effect Transistor)电一种电压控制型半导体器件。突出特点是输入电阻非常高,能满足高内阻的信号源对放大器要求,因此,它是较理想的前置输入级器件。功耗低,制造工艺简单,噪声低,热稳定性好,抗辐射能力强。

  • 2022-01-24
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EMI 的电感的计算2

晶闸管的栅极象闸门一样能够控制大电流的流通,因此被称为闸流管。是一种应用广泛的半导体功率开关器件。可用作可控整流,交流调压,无触点开关(继电器)以及大功率变频和调速系统中的重要器件。与大功率三极管相比,具有效率高,电流容量大,使用方便而又经济等优点。

  • 2022-01-24
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