作为全固态微光器件，InxGa1-xAs 器件通过调节材料组分 x 值， 其响应波段覆盖夜天光辐射的主 要波段，对夜天光的能量利用率高。 加之材料量子效率高，器件性能好，可望显著提高夜视系统作战距离； 另外，采用半导体常规工艺制作，可完成大面阵、长线列器件制备，无需封装在（超）高真空系统，制备简单； 采用 CMOS 读出电路进行信号数据的读取、传输与放大，有利于进行数据的处理和优化改善。 由于具备的 以上技术优势，InxGa1-xAs 器件成为一种新型的高性能全固态数字化微光器件。 InxGa1-xAs 器件与传统的微 光器件在光电转换原理以及器件制备方面存在不同，决定了两者在性能上存在的差异。文中对此进行了对 比分析，分析结果体现了 InxGa1-xAs 全固态数字化微光器件的技术优势和特点，以及 InxGa1-xAs 全固态数字 化微光器件存在的重要应用和发展需求。
