5G时代半导体产业专利布局现状分析

随着数据速率的快速增长,特别是从4G到5G,无线网络的传输速度呈现跨越式提升,对基站以及移动终端设备的要求随之增强,需要配备更新更快的应用处理器、基带以及射频器件。以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料,因为其所具有的更宽的禁带宽度、更高的击穿电场等特性,更适用于制备5G技术中所需要的半导体器件、特别是5G通讯中所需的大功率器件,在5G通讯应用中有着非常广阔的前景和机遇。

  • 2022-01-17
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