晶片切割是半导体加工的重要工序，它直接影响到晶片的成本、质量以及各种性能。目前，晶片切割主要的方法有金刚石内圆切割和线切割。本文详细介绍了内圆切割和线切割系统的特点、存在的主要问题及其改进方法。内圆切割具有切片精度高、径向和晶片厚度方向调整方便、加工成本低等优点，改进装刀方法，提高刀片的安装精度，可刀片受力均匀，有效减小锯切损伤程度。线切割是最新发展的一种晶片加工方法，具有多片切割效率高、损伤层厚度小等优点，在大直径（？≥200mm）薄（厚度≤0．3 mm）晶片的加工中有着广泛的应用前景。提高切割线的刚度，减小线的横向振动，可提高线切割精度和切割线的利用率。
