随着第三代半导体技术的迅速发展，氮化镓（GaN）功率器件迎来了快速发展期，从半导体器件的发展历程可以看到，半导体器件发展的几次飞跃都是与同时期的几种半导体材料的出现密切相关。首先，硅（Si）材料的发现使半导体在微电子领域的应用获得突破性进展，日用家电和计算机的广泛应用都应该归功于硅材料的出现。而后，砷化镓（GaAs）材料的研究使半导体的应用进入光电子学领域，利用砷化镓材料及与其类似的一些化合物半导体，如磷化铟（InP）等制造出的发光二极管和半导体激光器在光通信和光信息处理等领域起到了不可替代的作用，由此也带来了VCD 和多媒体等的飞速发展。这两代半导体器件在微波功率领域也占据着举足轻重的地位。
