高功率微波射频器件的未来——金刚石基GaN功率器件与散热方案

GaN具有禁带宽度大(室温下为3.39eV)?击穿电场强度高(3.3MV/cm)?饱和电子速度大(2.5×107cm/s)?热导率高(1.5W·cm-1·K-1)、抗辐射能力强以及易于形成异质结构等优异性能等特点,非常适于研制高频?大功率微波?毫米波器件和电路,在 5G 通讯、航天、国防等领域具有极高的应用价值。

  • 2022-01-27
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