本文主要调研了 近 年 来 国 内 外 关 于 Si基 GaN 射频器件在材料、工 艺 与 电 路 上 的 研 究 进 展,剖析了相关技术难点与存在问题,并展望了 Si基 GaN 射频器件未来的优化发展方向。此 外 还 基 于 射 频 损 耗 较 低 的高阻 Si上 AlGaN/GaN HEMT 材 料,报 道 了 研 制 的0.25μm 及0.4μm 工艺下的Si基 GaN 射频器件,经测试在 C波段及 X 波段下工作性能优异,揭示了Si基GaN 射频器件在5G 应 用 及 低 成 本 雷 达 等 领 域 的 独 特优势和应用前景。